A Samsung kínálatában egy ideje már találunk PCI Express 5.0-s csatolófelülettel ellátott SSD kártyákat, amelyek a Samsung 990 EVO és Samsung 990 EVO Plus sorozatot erősítik, ezek viszont nem teljes értékű PCI Express 5.0-s termékek, hiszen x4-es helyett csak x2-es csatolófelülettel rendelkeznek, hála a hibrid kivitelnek.
Ezen felül PCI Express 4.0 x4-es módban is lehet őket használni, a PCI Express 5.0 x4-es kapcsolatban rejlő lehetőségeknek nagyjából a felét tudják kiaknázni, már ami az adatátviteli sávszélesség alakulását illeti. Később egészen biztosan érkeznek PCI Express 5.0 x4-es csatolófelülettel ellátott M.2-es PCIe NVMe SSD kártyák is a vállalat kínálatába, ezek viszont már a legújabb, 10. generációs 3D V-NAND Flash memóriachipeket használhatják, sőt, a szóban forgó chipek a PCI Express 6.0-s SSD kártyák fedélzetén is jelen lesznek.
A vállalat most úgy tervezi, az ISSCC 2025 alkalmával rántja le a leplet az új 3D V-NAND Flash chipek legfontosabb tulajdonságairól, de néhány fontos adalék már most is tudható a termékekkel kapcsolatban. A 10. generációs 3D V-NAND Flash chipek leggyorsabb példányai megmaradnak a TLC metódus mellett, vagyis cellánként 3 bitnyi adat tárolására lesznek képesek. Egy-egy lapka 400-nál is több cellarétegből állhat, amelyek révén 1 Tb-es, azaz 128 GB-os adattároló kapacitást biztosíthatnak. Az egyes lapkák adatsűrűsége a tervek szerint 28 Gb/négyzetmilliméter lesz, ami csak alig marad el a Samsung aktuális QLC generációjának 1 Tb-es tagjától, hiszen az 28,5 Gb/négyzetmilliméter adatsűrűséggel bír. Utóbbi érték egyébként jelenleg világelsőnek minősül, nincs nála nagyobb adatsűrűségű 3D NAND Flash memóriachip a piacon.
Amennyiben a korábbi gyakorlat folytatódik, akkor egy-egy konkrét memóriachip fedélzetén 8 vagy 16 darab lapka foglalhat helyet, utóbbi esetben ez 2 TB-nyi tárhelyet jelenthet. Egy egyoldalas M.2-es SSD-vel számolva, amelynek egy oldalára 4 darab memóriachip fér a vezérlőn és a DRAM alapú gyorsítótáron kívül, 8 TB-nyi adattároló kapacitás érhető el. Ha a gyártó visszatér a kétoldalas dizájn alkalmazásához, akár 16 TB-nyi tárhelyet is kínálhat egy-egy új SSD-vel.
Az adatsűrűség mellett a sebesség is figyelemre méltó lesz, hiszen az új memórialapkák 5,6 GT/s sebesség elérésére lesznek képesek, ami jelentősen felülmúlja a YMTC által kifejlesztett Xtacking architektúra 3,6 GT/s szintjét. Egy-egy lapkánál az 5,6 GT/s sebességet nagyjából 700 MB/s-os adatátviteli sávszélességre fordíthatnánk le, azaz 10 lapkával csúcsra is járatható egy PCI Express 4.0 x4-s csatolófelület, míg 20 lapka már a PCI Express 5.0 x4-es csatoló adatátviteli sávszélességének „kimaxolásához” is elegendő lehet. Két darab NAND Flash chip jóvoltából összesen már 32 lapka is elérhető (2 x 16), ezekkel a PCI Express 6.0 x2-es csatolófelület is kihajtható, míg 4 chip segítségével a PCI Express 6.0 x4-es csatoló is csúcsra járatható.
A dél-koreai óriásvállalat tervei szerint a 10. generációs 3D V-Nand Flash memóriachipek az ISSCC 2025 alkalmával mutatkozhatnak be, illetve sorozatgyártásuk is megkezdődhet jövőre, az viszont egyelőre nem világos, mikor válnak elérhetővé konkrét termékek formájában. A Samsung ezeket a memóriachipeket jellemzően nemcsak SSD-k, hanem okostelefonok, USB-s adattárolók, illetve memóriakártyák fedélzetén is használja. Nincs kizárva, hogy első körben valamilyen egyszerűbb eszköz fedélzetén mutatkoznak be, majd utána az üzleti SSD-k, végül pedig a konzumerpiaci SSD-k is megkapják őket. Az ISSCC 2025 alkalmával remélhetőleg ennek forgatókönyvére is fény derül, maga a show egyébként jövő februárban, egészen pontosan 2025. február 16-tól 20-ig kerül megrendezésre. Az újdonságokkal kapcsolatban nemrégiben a Korean Economic Daily is megosztott némi információt, ami ebben a hírben olvasható, igaz, az alapján úgy tűnt, hogy a friss chipek késnek egy kicsit és majd csak 2026 folyamán kerülnek forgalomba. Rövidesen arra is fény derül, mi a hivatalos álláspont.
