A Samsung háza táján gőzerővel zajlanak a fejlesztések mind a 3D V-NAND típusú memóriachipek, mind pedig a DRAM chipek területén, így a vállalat az elkövetkező időszakban is élvonalbeli termékekkel áraszthatja el a piacot, tovább erősítve pozícióját.

A Korean Economic Daily információi szerint a Samsung szakemberei most azt tervezik, hogy 2026-ra már legalább 400 cellarétegből álló 3D V-NAND Flash memóriachipekkel rendelkeznek majd, amelyek az üzleti NAND Flash meghajtók és kártyák mellett idővel a konzumerpiaci SSD-k szegmensébe is le fognak szivárogni. Jelenleg a 9. generációs 3D V-NAND Flash memóriachipek sorozatgyártása zajlik, ezek 286 cellarétegből épülnek fel és még idén áprilisban mutatkoztak be. A cellarétegek számának növelése komoly kihívásokat jelentett a korábbi tapasztalatok alapján, ugyanis a 300 cellaréteges szintet átlépve a kész chipek gyakran hibásan kerültek le a gyártósorról, ami nyilvánvalóvá tette, újfajta technológiát kell kifejleszteni és alkalmazni a siker érdekében. A háttérben ezzel el is készültek, a 10. generációs 3D V-NAND Flash memóriachipek esetében pedig be is fogják vetni.

A technológia a Bonding Vertical nevet viseli, lényege pedig abban rejlik, hogy az adattárolást végző komponenseket, illetve az őket vezérlő kiegészítő áramköröket külön-külön rétegek formájában készítik el, majd a gyártás során ezeket egymásra rétegezik. Ezzel a korábban alkalmazott Co-Packaged technológiához képest jelentős változás következik be, ami nemcsak azért előnyös, mert így a 300-nál több cellaréteggel rendelkező chipek gyártása is lehetővé válik, hanem azért is, mert ezáltal növelni lehet az egy adott területre eső bitek számát, vagyis a bitsűrűséget. A Samsung szerint a javulás mértéke 60%-os, ami nemcsak az adatsűrűségre, hanem az adatátviteli sávszélességre is jótékony hatást gyakorolhat. A legalább 400 cellaréteget tartalmazó 3D V-NAND Flash memóriachipek már 2026 folyamán megjelenhetnek, ami a korábbi tervekhez képest egy pici csúszást mutat, hiszen anno már 2025-re szerették volna elérni az említett szintet.

A 11. generációs 3D V-NAND Flash memóriachipek egy évvel később, 2027 folyamán jelenhetnek meg, és a tervek szerint 50%-os előrelépést hoznak majd I/O sebességek terén, ami igencsak masszív gyorsulást jelent. Az 1000 cellaréteges álomhatárt várhatóan 2030-ban sikerült átlépni. Közben a Samsung riválisa, az SK Hynix is gőzerővel dolgozik a 3D NAND Flash memóriachipek fejlesztésén, ők várhatóan már 2025 végén elkészülhetnek azokkal a memóriachipekkel, amelyek már 400 cellaréteggel rendelkeznek.

A Samsungnál ezzel egy időben a DRAM típusú memóriák fejlesztése is gőzerővel halad, ezen a területen a következő nagy újítás 2025 első felében érkezhet a hatodik generációs 10 nm-es DRAM lapkák megjelenésével. Az 1c DRAM chipek után, várhatóan még 2026 folyamán jelenhetnek meg a hetedik generációs 10 nm-es gyártástechnológia köré épített fejlesztések, a 10 nm-es csíkszélességet pedig 2027 folyamán sikerül majd átlépni. A 1d csíkszélességgel készülő memóriachipek után tehát a 0a modellek érkeznek, ezek viszont már több cellarétegből állhatnak, hála a Vertical Channel Transistor technológiának, ami hasonló lesz ahhoz, amit most a 3D V-NAND Flash memóriachipeknél használnak.