A Samsung Electronics mérnökcsapata az iparági információk alapján éppen azon dolgozik, hogy felpörgessék a 2 nm-es csíkszélességgel kapcsolatos munkálatokat, már ami az új gyártástechnológia gyakorlatban történő bevetését illeti. A munka már gőzerővel folyik, az S3-as üzemben, ami Hwaseong városa mellett található, megkezdték azoknak a fejlett gyártóeszközöknek a telepítését, amelyekre szükség van a 2 nm-es csíkszélesség termelésbe állításához. Ha minden a terveknek megfelelően halad, akkor már a következő év első negyedévében megindulhat a termelés, havi szinte 7000 szilícium-ostyát készíthetnek a gyártósorok.

Noha a fenti már önmagában is egy igencsak ambiciózus vállalás, hiszen a korábbi hírek szerint még a 3 nm-es gyártástechnológia bevetése körül sincs minden rendben, extrém alacsony kihozatali arányról szóltak a hírek a nyár folyamán, a vállalat mégis a 2 nm-es utáni lépcső megugrására készül, vagyis bevetnék az 1,4 nm-es csíkszélességet is a következő év második negyedévének végétől kezdve. Az 1,4 nm-es gyártástechnológiát a Pyeongtaek Plant 2 területén található S5 üzemben állíthatják csatasorba, ám ott csak havi 2000-3000 darab szilícium-ostya készülhet, kísérleti jelleggel. A további tervek között szerepel az is, hogy az S3-as üzemben a következő év végére lecserélik a 3 nm-es gyártósorokat 2 nm-esekre.

A korábbi információk alapján a Texas államban, Taylor városa mellett található üzem megnyitási időpontját későbbre kellett halasztani, pont a 2 nm-es csíkszélesség körüli problémák miatt, így az nem az idei év végén, hanem majd csak valamikor 2026 környékén nyílhat meg, ugyanis a gyártáshoz szükséges berendezést majd csak akkoriban kezdik el beszerelni. Ezzel egy időben változtak a Pyeongtaek területén található Fab 4-es üzemmel kapcsolatos tervek is, ott ugyanis az alacsonyabb kereslet miatt inkább DRAM chipeket gyártanak egyéb termékek helyett, a Fab 3-as üzemben pedig, ami 4 nm-es csíkszélességgel dolgozik, visszafogták a termelést.

A fenti változtatásokra mind-mind részei annak a tervnek, amelynek keretén belül már jövőre szeretnének 2 nm-es csíkszélességgel chipeket gyártani, majd 2027-től az 1,4 nm-es csíkszélességet is tömegtermelésbe állítanák. A Samsung célja, hogy utolérje a nagy riválisnak tekintett tajvani TSMC-t, amit nem lesz egyszerű teljesíteni, hiszen míg a Samsung 11,5%-os piaci részesedéssel rendelkezett a második negyedév folyamán a globális félvezetőipari bérgyártói szegmensben, addig a TSMC piaci részesedése 62,3% volt, vagyis magabiztosan uralja a piacot. A Samsung friss csíkszélességei körül tapasztalható problémák sem igazán segítik a cél elérését, a 3 nm alatti gyártástechnológiák esetében például 10-20% közötti GAA kihozatali arányról volt szó korábban, míg a többi 3 nm alatti gyártástechnológiánál 50% körüli ez az érték, ami messze van a már egészségesnek mondható 70-80%-tól.

Egy iparági szakértő szerint a 3 nm-es csíkszélességgel készülő Exynos chipek gyártásának késése és a többi nehézség miatt a 2 nm-es csíkszélesség körüli munka sikere kulcsfontosságúvá vált: vagy óriási sikert hoz, azaz biztosítja a további működést, vagy megtöri a Samsung félvezetőipari bérgyártói üzletágát.