A kínai félvezetőipart elég nehéz helyzetbe hozták az amerikai exportszankciók, ezeknek köszönhetően ugyanis a feketelistán lévő kínai vállalatok nem férhetnek hozzá a nyugati technológiához és gyártóeszközökhöz. Ebbe a kategóriába tartozik az ország legnagyobb 3D NAND Flash gyártója, a Yangtze Memory Technologies Corporation is, amelynek vezetése a speciális helyzet miatt arra kényszerül, hogy tőkeemelést eszközöljön, amelynek keretén belül biztosított lehet a különböző 3D NAND és DRAM piaci technológiák fejlesztése. A helyzet eddig nagyjából 7 milliárd dollárnyi extra tőkeberuházást igényelt, és ez az összeg még biztosan tovább növekszik az elkövetkező időszakban.
A Yangtze Memory Technologies Corporation vezetése nemrégiben egy érdekes lépésre szánta el magát, gyakorlatilag perbe fogták a Micront egy kaliforniai bíróságon, ugyanis szerintük az amerikai nagyvállalat nem kevesebb, mint 8 szabadalmat sért, amelyek a modern 3D NAND Flash memóriachipek működésével és gyártásával kapcsolatosak. A kínai vállalat alighanem azt szeretné elérni ezzel az akcióval, hogy vizsgálják felül az amerikai feketelistát és kerüljön le a kínai vállalat róla, de az sincs kizárva, hogy ez része Kína visszavágójának az Amerikai Egyesült Államok kereskedelmi szankcióira adott válasz formájában.
A peranyag szerint a Micron a szabadalommal védett kínai technológiákat a 128 és 176 cellarétegből álló 3D NAND Flash memóriachipjeinél használta fel. A kínaiak úgy látják, az alábbi 8 szabadalmat sérthette meg a Micron:
- Az US10 950 623 azokat a módszereket tartalmazza, amelyek a 3D NAND Flash memóriachipek építéséhez szükségesek, különös tekintettel a rétegekből álló szerkezetre
- Az US11 501 822, ami a nem-illékony adattároló eszközök kezelését írja le, kritikus fontosságú az áram nélküli adatmegtartás szempontjából
- Az US10 658 378 és az US10 937 806 egyaránt a Through-Silicon-Via, azaz a függőleges összekötő technológiát részletezi, ami nélkülözhetetlen a 3D NAND Flash chipek esetében
- Az US10 861 872, ami a 3D NAND Flash gyártásával kapcsolatos technológiát tárgyalja.
- Az US11 468 957, ami a NAND Flash memória felépítésével és működésével kapcsolatos aspektusokat tartalmazza
- Az US11 600 342, ami a 3D NAND Flash memória olvasással kapcsolatos módszereit foglalja össze
- Az US10 868 031, ami a memóriacellák rétegezéséről szól
A fenti gyűjtemény eléggé szerteágazó, így eléggé sok időt emészt majd fel az a folyamat, amelynek során tisztázzák, megalapozottak-e a YMTC vádjai, vagy sem. Az alighanem évekig elhúzódó pereskedés végkimenetele egyelőre kérdéses, főleg annak fényében, hogy a fentiekhez hasonló technológiákat több vállalat is használ, mint például a Samsung, a Kioxia, a Western Digital, vagy éppen az SK Hynix. Ezek a technológiák kiemelten fontosak a modern SSD gyártás kapcsán, illetve a mobilokba, táblákba, szerverekbe, és egyéb eszközökbe szánt NAND Flash alapú adattárolók is kamatoztatják a bennük rejlő lehetőségeket.
