A Samsung nagyjából egy évtizede használja a 3D-s eljárást a NAND Flash memóriachipek terén, ami azt jelenti, hogy a cellarétegeket egymásra helyezve növelik az egy chipre jutó adatsűrűséget, ez pedig több szempontból előnyös. Egyrészt adott területre nagyobb adattároló kapacitás jut, valamint teljesítmény szempontjából sem hátrányos a fejlesztés, ami a 3D V-NAND nevet viseli. A dél-koreai vállalat a The Korea Times értesülései szerint a DRAM piacra is hasonló technológiát fejleszt, amelynek eredményeként minden eddiginél nagyobb adatsűrűségű DRAM lapkák készülhetnek, hiszen egy tokozáson belül több lapkát rétegezhetnek egymásra. A technológia fejlesztését amerikai földön végezheti a dél-koreai vállalat, méghozzá a Szilícium-völgy területén, egy erre a célra szolgáló laboratórium-komplexum területén.
A 3D DRAM technológiát fejlesztő részleg a Device Solutions America név alatt üzemel majd. A dél-koreai vállalat célja az a DSA-val, hogy a globális 3D DRAM piacon idővel vezető szereplővé válhasson. Arról egyelőre nincs hír, hogy pontosan mekkora előnyöket kínálnak majd az egymásra rétegezett memórialapkákat tartalmazó memóriachipek, már ami a teljesítményt illeti, egy tavaly októberi kijelentés alapján azonban arra számíthatunk, hogy a 10 nm alatti csíkszélességek segítségével egy-egy 3D DRAM chip kapacitása átlépheti a 100 Gb-es „álomhatárt” is.
Hasonló technológiát a processzorok piacán már láthattunk, igaz, ott csak egyetlen 64 MB-os SRAM lapkát ültettek a RYZEN 5000X3D és a RYZEN 7000X3D sorozatú AMD processzorok fedélzetére. Ezzel a memórialapkával jelentősen növelhető a megosztott harmadszintű gyorsítótár kapacitása, ami bizonyos munkafolyamatok esetében jelentős, architektúra-váltással felérő gyorsulást hozhat. Ez a technológia jellemzően a játékok alatt bizonyult hasznosnak.
A 3D DRAM nemcsak kapacitás terén hozhat növekedést, hanem sebességek terén is, igaz, az egyelőre nem világos, mekkora előrelépésre lehet számítani. A 3D DRAM memóriachipek persze nemcsak a felsőkategóriás gamer konfigurációk számára lesz előnyös, hanem a szerverprocesszorok szegmensében is, ahol segíteni fog a memóriakapacitás jelentős mértékű növelésében. Az újítás idővel a kereskedelem fő áramába és a belépőszintre szánt megoldások esetében is hasznos lehet, hiszen ahogy felpörgetik a gyártást, egyre olcsóbbá válhatnak ezek a chipek, a nagy adatsűrűség matt pedig egyre elérhetőbb áron lehet majd egyre nagyobb memóriakapacitáshoz jutni. Hasonló trend az SSD kártyák piacán már elindult az elmúlt évek folyamán, igaz, a közeljövőben jelentős drágulásra számíthatunk, de ez már egy másik történet.
Remélhetőleg rövidesen technikai részletek is megjelennek a Samsung 3D DRAM típusú fejlesztéseivel kapcsolatban, akkor fény derülhet arra is, pontosan milyen előnyöket tartogatnak majd az újdonságok, illetve pontosan hány memórialapkát rejtenek majd az első generációs megoldások.
