Az Intel illetékesei az elmúlt hét folyamán rendezték meg a vállalat első Intel Foundry Services Connect névre keresztelt showját, amelynek keretén belül egyebek mellett azt is elárulták, hogyan alakul a következő generációs gyártástechnológiákat felvonultató útiterv. Akkoriban még csak a rövidesen érkező 20A és 18A gyártástechnológiák utódjául szánt 14A gyártástechnológiáról esett szó, már ami az új csíkszélességeket illeti, a terv pedig arról szólt, hogy az 1,4 nm-es osztályú újdonság majd csak valamikor 2026 folyamán állhat tömegtermelésre.
Azóta kiderült, hogy már a 14A után érkező gyártástechnológia is jelen van az útiterven, ám azt akkoriban még nem mutatták meg, hiszen elfelejtették kivenni az NDA hatálya alól. Gyakorlatilag a 10A névre keresztelt gyártástechnológiáról van szó, ami már 1 nm-es csíkszélességet takar az új nevezéktan alapján. A 10A a tervek szerint valamikor 2027 végén vagy 2028 elején állhat tömegtermelésbe, már amennyiben minden a jelenlegi tervek szerint halad. Arról egyelőre nem esett szó, hogy a többi gyártástechnológiához képes tranzisztorsűrűség, fogyasztás, illetve teljesítmény terén mekkora előrelépést hozhat, de remélhetőleg erre is választ kaphatunk az elkövetkező évek folyamán.
Az Intel Foundry Services a korábban említett változtatások hatására Intel Foundry név alatt, függetlenebb kereskedelmi entitásként folytathatja pályafutását, ami a vállalat vezetője, Pat Gelsinger szerint a „Nyugat TSMC-je” lehet a nem is oly távoli jövőben. Az biztos, hogy a vállalatnál nagy hangsúlyt fektetnek a gyártástechnológiák fejlesztésére, illetve arra is, hogy minél több partner kiszolgáljanak majd – az első nagyobb megrendelő várhatóan a Microsoft lesz.
Gyártástechnológiák terén jelenleg az látszik, hogy az éppen alkalmazott EUV alapú megoldások, vagyis az Intel 4, az Intel 3, illetve az Intel 20A együttesen is csak mindössze 15%-át adják az Intel teljes szilícium-ostya termelésének – a legfontosabb szerep most a DUV alapú Intel 7 gyártástechnológiára hárul, köré épül a legyártott szilíciumostyák oroszlánrésze.
Az EUV alapú gyártástechnológiák részesedése 2025-ig bezárólag lineárisan növekedni fog ezen a téren, vagyis egyre nagyobb szeletet hasítanak majd ki a képzeletbeli tortából, de az Intel 4 és az Intel 3 esetében nem számítanak akkora stagnálásra, mint ami az Intel 7 gyártástechnológia pályafutását jellemezte. A tervek szerint az Intel 20A és 18A gyártástechnológiák már 2025 folyamán túlszárnyalják az Intel 4 és az Intel 3 csíkszélességek használatával legyártott szilíciumostyák számát, 2026-ban pedig kétszer több 20A/18A alapú szilíciumostya készülhet, mint Intel 4 és Intel 3 alapú.
Noha az Intel 4 és az Intel 3 esetében szintén EUV levilágítást használnak, csak úgy, mint a 20A és a 18A esetében, lényegében az előbb említett két gyártástechnológia lesz az utolsó, ami a klasszikus FinFET kialakítást használhatja a tranzisztorok esetében. Az Intel 20A gyártástechnológiával kezdődően átállnak a RibbonFET technológiára, amelynek alapját nanolapkák adják. Arról sajnos nem esett szó, hogy az Intel 10A esetében pontosan milyen technológiákat alkalmaz majd a vállalat, de ez még úgyis a messzi jövő zenéje, ráérnek közölni.
Szó esett viszont arról, hogy érkezik a gyárautomatizálás következő hulláma, amelynek keretén belül még több munkakörben juthatnak szerephez a mesterséges intelligenciával felvértezett együttműködő robotok, azaz a cobotok, vagyis egyre több klasszikus emberi feladatkört vehetnek át a nem is oly távoli jövőben a tisztaszobákban.
