A Samsung újra szerencsét próbálhat a NAND Flash piacon speciális fejlesztésével, a Z-NAND Flash memóriachipekkel, amelyek számos előnyt kínálnak normál társaikhoz, a 3D NAND Flash memóriachipekhez képest. A Z-NAND korábbról már ismerős lehet, azóta viszont beköszöntött az AI éra, amelynek keretén belül óriási teljesítményű, nagy adattároló kapacitást kínáló megoldásokra van szükség, lehetőleg energiahatékony működéssel karöltve.

Az új generációs Z-NAND kapcsán egyelőre még csak némi marketing-tűzijáték látott napvilágot, az állításokat azonban nem támasztották alá konkrét mérési eredményekkel, így finoman szólva is érdemes gyanakodva fogadni a gyártói állításokat. Az új generációs Z-NAND állítólag 15-ször magasabb maximális adatátviteli teljesítményt nyújt a mai 3D NAND Flash memóriachipekhez képest, ezzel egy időben pedig nagyjából 80%-kal alacsonyabb fogyasztás mellett is üzemel, ami a célterületen legalább annyira fontos szempont, mint a gyorsaság és az alacsony késleltetés.

Alapok terén tehát erős versenyzőnek ígérkezik a Samsung új generációs Z-NAND Flash memóriachipje, és egy speciális technológia is érkezik hozzá, ami még vonzóbbá teheti a GPU-k, illetve a GPU alapú AI gyorsítók szegmensében. Lényegében egy olyan eljárásról van szó, mint amilyen a gamer iparágból ismerős DirectStorage, de itt nem a játékhoz tartozó különböző fájlokat, hanem az aktuális AI feladathoz kapcsolódó adatkészleteket és a modellekhez kapcsolódó adatokat mozgatja. A GPU közvetlenül hozzáférhet a Z-NAND tartalmához, így a különböző adatok mozgatása rendkívül gyors lehet a gyorsítókártya és a tárhely között. Amennyiben a technológia kellően ütőképes, azzal azt érhetik el a piacon, hogy egy olyan adattároló-szint jöhet létre, ami a memóriához hasonló adatátviteli sávszélességet kínál, ezáltal jelentősen gyorsíthatja az AI-hoz kapcsolódó munkafolyamatok elvégzését.

Sajnos konkrét számokkal még nem támasztotta alá a dél-koreai gyártó a fenti állításokat, de remélhetőleg a mérési eredményekre sem kell már sokat várni. Maga a Z-NAND anno azzal próbált hódítani, hogy alacsonyabb késleltetést és erős IOPS teljesítményt kínált, de adatsűrűség terén nem kínált hatalmas áttörést a normál NAND Flash memóriachipekhez képest. A speciális fejlesztés terjedését jelentősen korlátozta a magas bekerülési költség. Ezen a téren hasonló volt a helyzet, mint az Intel háza táján a 3D Xpoint esetében, ami magas strapabíróságával, illetve alacsony késleltetésével próbált kiemelkedni a szürke kínálatból, de ezeken felül mellette szólt még az alacsony lekérdezési mélység esetén is elérhető magas teljesítmény.

A 3D Xpoint eltűnt a piacról és a Z-NAND sem váltotta be a hozzá fűzött reményeket, de azóta elindult az AI-láz, amelynek köszönhetően minden eddiginél nagyobb kereslet mutatkozik a gyors, nagy adattároló kapacitást kínáló, alacsony késleltetéssel rendelkező, jó energiahatékonyság mellett dolgozó adattároló-megoldások iránt.

Noha a Z-NAND első blikkre egy ütőképes és ígéretes alternatívának tűnik, a végső fogadtatása attól függ majd, hogyan teljesít élesben, illetve mennyire lesz versenyképes árazás terén. Az sem mindegy, lesz-e hozzá megfelelő szoftveres támogatás az ökoszisztémán belül, valamint támogatni fogják-e a piacvezető AI gyorsítók gyártói, vagy sem.