A Toshiba újabb mérföldkőhöz jutott a NAND Flash fejlesztőmunka terén, ugyanis elkészült a világ első olyan 3D NAND Flash memóriachipjével, amelyben 3D TLC BiCS NAND Flash lapkák helyezkednek el, méghozzá egymásra rétegezve, TSV technológiával összekapcsolva.
A chip alapját adó 3D TLC BiCS NAND Flash lapkák egyenként 48 cellaréteggel rendelkeznek, egy-egy cella pedig 3 bitnyi adat tárolására képes, hiszen TLC technológiára támaszkodnak. A Toshiba mérnökei a 48 rétegű 3D TLC BiCS NAND Flash lapkákat egymásra rétegezték, az egyes lapkák közé pedig TSV (Through-silicon Via) kapcsolatot építettek ki. Ez a TSV kapcsolat 8 vagy 16 ilyen 3D TLC BiCS NAND Flash lapkát köt össze, így segítségével 512 GB-os vagy 1 TB-os egychipes tároló rendszer hozható létre.
Az összehuzalozott lapkák jóvoltából helytakarékos, alacsony késleltetésű, magas adatátviteli sávszélességgel rendelkező adattároló rendszerek készíthetőek, amelyeknél az IOPS/Watt arány is meglehetősen magas, így a fejlesztés több területen is hatékonyan bevethető – egyebek mellett kiváló lehet nagyteljesítményű üzleti SSD meghajtók gyártásához is.
A 16 darab 64 GB-os 3D TLC BiCS NAND lapkát tartalmazó BGA tokozású chip 14 milliméter széles, 18 milliméter hosszú és mindössze 1,85 milliméter magas, adattároló kapacitása pedig nem kevesebb, mint 1 TB. Ehhez képest a 8 lapkával szerelt példány ugyanolyan alapterület mellett már csak 1,35 milliméter magas, adattároló kapacitása pedig 512 GB. Mindkét chip NAND Dual x8 BGA-152 típusú tokozással érkezik, interfész terén pedig a Toggle DDR szabványra támaszkodnak. Maximális adatátviteli sávszélességük 1066 Mbps.
Az új lapkák első mintapéldányait június óta szállítja a cég, a tömegtermelés pedig az év második felében indulhat meg. A Toshiba az újdonságot az augusztus 7-től 10-ig tartó 2017 Flash Memory Summit alkalmával mutatja meg a nagyközönségnek – a rendezvény helyszíne természetesen a Kalifornia államban található Santa Clara lesz.
