Az Intel mérnökei egy új memóriatípuson dolgoznak, ami óriási előrelépést hozhat memória-sávszélesség terén az AI gyorsítók szegmensében, igaz, memóriakapacitás tekintetében jelenleg még hátrányban van, de így is kifejezetten ígéretes fejlesztésnek tűnik. A munkában az Intel csapatát a SoftBank leányvállalata, a Sainmemory is segíti annak érdekében, hogy a HBM (High-Bandwidth Memory) szabványnak kellően ütőképes kihívót készíthessenek a HB3DM formájában.
Az új memóriatípussal kapcsolatos összes részletre a VLSI 2026 alkalmával derülhet fény, ami júniusban esedékes, de már most is sok információ áll rendelkezésre az újdonsággal kapcsolatban, amelyek alapján úgy tűnik, erős versenyző érkezhet az AI gyorsítókat kiszolgáló memóriachip-szendvicsek szegmensébe. A fejlesztésről nemrégiben számolt be Dr. Ian Cutress, a diák minősége viszont még nem a legjobb.
A HB3DM ugyanúgy memórialapkákat réteget egymásra, mint a HBM, viszont itt a Z-Angle Memory technológiát használják, ami a HBM-nél alkalmazott megoldáshoz hasonlít, azaz segítségével a Z-tengely mentén lehet egymásra helyezni a memórialapkákat. A Z-Angle Memory technológia mellett fontos szerepet kap a folyamatban több egyéb, meglehetősen fejlettnek mondható technológia is, például a Hybrid Bonding, ami a lapkák egymásra rétegezését segíti.
Az aktuális dizájn keretén belül egy memóriachip-szendvics összesen 9 lapkarétegből áll, ezek között nagyjából 13700 TSV, azaz függőleges összekötő-vezeték teremt kapcsolatot. Az alapréteg tartalmaz némi logikai áramkört, ami segít a chipen belüli adatmozgatás irányításában, felette pedig nyolc darab DRAM réteget helyeztek el, amelyek az adatok átmeneti tárolását végzik.
Az aktuális fejlettségi szinten a HB3DM nagyjából 1,125 GB-os memóriakapacitás elérésére képes rétegenként, ami egy-egy memóriachip-szendvics esetében 10 GB-os teljes kapacitást jelent. A 171 négyzetmilliméteres felületű chip esetében 0,25 Tb/s-os memória-sávszélességet lehet elérni négyzetmiliméterenként, ami azt jelenti, hogy egy-egy memóriachip-szendvics 5,3 TB/s körüli memória-sávszéleség biztosítására képes, ami masszív előrelépés a HBM legfejlettebb verziójához képest. A HBM4 esetében egy-egy memóriachip-szendvics nagyjából 2 TB/s-os memória-sávszélességgel dolgozhat, vagyis a HB3DM jelentős előnyben van a HBM4-hez képest.
Memória-sávszélesség tekintetében tehát jókora előnyben van a HB3DM, viszont memóriakapacitás tekintetében a HBM4 áll jobban: míg előbbinél 10 GB, addig utóbbinál maximum 48 GB lehet az egy memóriachip-szendvicsre jutó memóriakapacitás. A HB3DM persze javulhat ezen a téren, növelhetik az egy lapkára jutó memóriasűrűséget, illetve a memóriarétegek számát is emelhetik, ezáltal növekedhet a memóriakapacitás is, de memória-sávszélesség terén már most is egyértelműen az Intel és a Sainmemory által kifejlesztett új technológia a nyerő.
Arról egyelőre nem esett szó, hogy az új memóriatípus első chipjei pontosan mikor jelenhetnek meg, valamint arra sem derült fény, mely vállalat készíti majd az alapokat biztosító DRAM chipeket. Mivel az Intelnek van némi tapasztalata memóriachip-gyártás terén, nincs kizárva, hogy a DRAM lapkák is házon belül készülnek majd, de hogy ehhez pontosan melyik gyártástechnológiát vetik be, arra majd csak később kaphatunk választ.
