A Micron éppen nemrégiben tartotta meg legfrissebb pénzügyi tájékoztatóját, amelyen a 2020-as pénzügyi év harmadik negyedévében elért eredményeit ecsetelte. Ezzel együtt szóba került egy érdekes technológiai fejlesztés is, ami új irányt szab a közeljövőben. Miután az Intel és a Micron útjai szétválnak, a Micron saját fejlesztésbe fogott, így a szokásos Floating Gate helyett itt már Replacement Gate technológiát használnak a tranzisztorok kapuelektródájánál, ami számos előnnyel kecsegtet.

Ez a dizájn az elmúlt évek leforgása alatt az első saját fejlesztés, amit nem az Intellel közösen hoztak tető alá, a jövőt tekintve pedig igen fontos jelentőséggel bír, hiszen lehetővé teszi a gyártó számára az aktív cellarétegek számának hatékony növelését. A Replacement Gate technológia előnyei közé sorolható, hogy segítségével csökken a lapkaméret, csökken az előállítási költség, növekszik a teljesítmény, a következő generációs node-okra történő átállás pedig egyszerűbb lesz, és még az aktív cellarétegek számát is könnyebben növelheti a gyártó.

A 4. generációs RG alapú 3D NAND Flash technológia persze nem hódítja meg az egész termékpalettát, csak bizonyos Micron SSD-k fedélzetén kap helyet, így az egész kínálatot nézve idén még nem hoz nagyon komoly költségcsökkentést, viszont hosszabb távon mindenképpen előnyöket tartogat. Éppen ezért a vállalatnál mindent megtesznek azért, hogy minél előbb tömegtermelésbe állhasson a technológia.

Az aktuális tervek alapján a 4. generációs RG alapú 3D NAND Flash memórialapkák még ebben a negyedévben tömegtermelésbe állhatnak, a köréjük épülő termékek viszont majd csak valamikor nyáron érkezhetnek meg. A Micron azt egyelőre nem árulta el, pontosan mely termékcsaládokban bukkanhatnak fel az új lapkák.