Az Apple - csak úgy, mint sok egyéb nagy és neves techipari cég - éves szinten több száz szabadalmat ad be, amelyek között végül számtalan olyan is lehet, amire nem biztos, hogy szükség lesz az elkövetkező évek folyamán. Egy viszont nemrégiben felkeltette a média érdeklődését, méghozzá egy 2016-ban beadott, US10573368B2 jelölésű szabadalom, ami nem másról, mint egy többszintű hibrid memória-alrendszerről szól. Mivel a vállalat éppen az ARM architektúrára történő átálláson dolgozik a teljes Mac termékcsalád esetében, az alapokat pedig főként SoC egységek adják majd, az említett szabadalom egyre nagyobb szerephez juthat, ugyanis megoldást nyújthat az egységes memória-architektúra (UMA) gyengeségeire.

Galéria megnyitása

Egy klasszikus processzor esetében DRAM formájában áll rendelkezésre a rendszermemória, míg a videokártyák rendszerint dedikált VRAM-ból dolgoznak, a SoC egységeknél viszont közös memóriaterületen kell osztoznia a processzornak és az integrált videóvezérlőnek, ami problémát jelenthet. Ilyen egyebek mellett az új generációs Apple Mac konfigurációk alapjául szolgáló M1-es Apple SoC is, aminél LPDDR4X fedélzeti memóriát használhat a rendszer. Az UMA esetében természetesen számos előnyről lehet beszélni, amelyek sok esetben jöhetnek jól, viszont nagyobb teljesítményű komponenseknél ez gyenge keresztmetszet lehet: mindkét egységnek ugyanazon a memória-sávszélességen kell osztoznia annak érdekében, hogy elérhessék ugyanazt a memóriaterületet, ez pedig bizonyos esetekben igen komoly negatív hatást gyakorolhat a teljesítmény alakulására.

A nagy sávszélesség-igényt elméletben HBM és HBM2E alapú memóriaszendvicsekkel ki lehetne elégíteni, ezek azonban költségesen alkalmazható megoldások, amelyekhez ráadásul komplex lapkák is kellenek, vagyis indokolatlanul drága lehetne a végeredmény. A hagyományos és GDDR típusú memórialapkák esetében a kapacitás már olcsóbban lehet nagyobb, viszont e memóriák megfelelő mennyiségben történő alkalmazására nincs mindig lehetőség, vagy éppen nem mindig előnyös.

Galéria megnyitása

Az Apple szabadalma lényegében a DRAM-hoz hasonló és a HBM-hez hasonló memóriatípusok előnyeit próbálja kamatoztatni egyfajta hibrid formában. A vállalat hibrid megoldásában a magas sávszélességgel és alacsony adatsűrűséggel, valamint a nagy adatsűrűséggel és alacsony sávszélességgel rendelkező memóriatípusokat kombinálja, méghozzá úgy, hogy a nagy sávszélességű lapkákat könnyen hozzáférhető gyorsítótárként, míg a nagy kapacitású lapkákat fő rendszermemóriaként veti be. A cél az, hogy olyan rendszer szülessen, ami mind sávszélesség, mind pedig kapacitás terén képes felnőni a feladathoz, azaz mindkét téren pozitívumokat kínál, ezzel ugyanis nem csak a teljesítmény, de az energiahatékonyság is növelhető, márpedig ez rendkívül fontos. Ezzel az implementációval lényegében három legyet ütnének egy csapásra: megoldódna a sávszélesség- és a kapacitás-igény, plusz az energiahatékonyság is javulna, ami a mobil konfigurációk esetében különösen fontos.

A szabadalomban egyebek mellett olyan megvalósítás is szerepel, ahol a gyorsítótárként funkcionáló DRAM a fő rendszermemóriaként használt DRAM lapkák fölé kerülhetne, ehhez pedig TSV-ket használnának, azaz olyan összekötő sávokat, amelyek a rendszermemória lapkáin keresztül kapcsolódnak a SoC-hoz.

Galéria megnyitása

A 2016-os szabadalmat több térségben is aktív, vagyis az Amerikai Egyesült Államok mellett az Európai Unió, Japán, Dél-Korea és Kína területén is bejegyezték, ami nem egy olcsó lépés – ez alapján úgy tűnik, a szóban forgó szabadalom fontos és nagy jelentőséggel bírhat. A szabadalom kapcsán Sukalpa Biswa neve is felmerült, aki korábban a PA Semi kötelékéből érkezett az Apple csapatába: a szakember igen komoly tapasztalattal rendelkezhet processzorfejlesztés terén, ami kapóra jöhet a hibrid memória-alrendszer implementálásakor és az optimalizáció során is.

Hasonlóban egyébként nem csak az Apple gondolkodik, hanem az Intel is, gondoljunk csak a DDR4 és Optane Memory támogatással egyaránt rendelkező Xeon Scalable szerverprocesszorokra, amelyek szintén hibrid memória-alrendszert használhatnak. A következő generációs modelleknél, amelyek a Sapphire Rapids kódnevet viseli, extraként HBM támogatás is rendelkezésre áll majd, vagyis az a hibrid memória-alrendszer nagyon hasonlíthat az Apple által szabadalmaztatott megoldáshoz, már ami az előnyöket illeti.

Hírlevél feliratkozás
A feliratkozással elfogadom a Felhasználási feltételeket és az Adatvédelmi nyilatkozatot.

10 hozzászólás

A komment írásához előbb jelentkezz be!
Armi1P
Armi1P
2021. jan. 31. 18:26
#3

Szóval cache?

kiberg
kiberg
2021. jan. 30. 21:31
#2

Fel nem foghatom hogy lehet egy ilyen triviális dolgot levédetni? Bárki erre az ötletre jutna ha valaki hasonlót akarna megvalósítani, az alapelv már eddig is létezett. Mióta vannak már gyógysítótárak? Lényegében ez egy gyorsítótár lenne, csak RAM szinten. Hogy lehet ezt levédeni?

humaniod
humaniod
2021. jan. 31. 22:57

@kiberg  Két dolgot néz a hivatal:

  • fizesd be a területi díjakat,
  • legyen elég pontos a leírás/rajzok/skiccek.

A móka bírósági eljárásoknál kezdődik, ilyenkor lehet lobogtatni a hivatali bejegyzés tartalmát és időpontját. Az nyer, aki ugyanazt, előbb. Az előbb könnyen eldönthető, a fő téma az "ugyanaz" kérdése szokott lenni.

_PARASZT_
_PARASZT_
2021. jan. 29. 17:33
#1

"közös memóriaterületen kell osztoznia a processzornak és az integrált videóvezérlőnek, ami problémát jelenthe"

Mi az, hogy kell? Miért kell? Valaki rákényszeriti öket?

Ez egy kizárolagos tervezési döntés, hogy kihagyják a külön Ram/VRam chipet, miután a SOC egységeknél az elsődleges tervezési cél a minniél költséghatékonyabb tervezés, és a minnél kisebb méret. Semmibe se keürlne nekik 2 memoria modult belerakni 1 helyet, sőt, konkrétan az az egyszerübb eset, ha külön vannak...

fszkivan
fszkivan
2021. jan. 30. 14:13

@axe  te maradj csendben, nyomkodd az iPhone 7-et és sírd tele az iPont, hogy csak az van.

Vissza az oldal tetejére