A NAND Flash memóriachipek általában síkbeli - planáris - struktúrára alapoznak, azaz egyetlen cellaréteget alkalmaznak, ám egy ideje olyan megoldások fejlesztéséről is hallani, amelyek már háromdimenziós felépítéssel rendelkeznek, azaz több ilyen cellaréteg egymásra helyezésével próbálnak értékes helyet spórolni. A Samsung komoly mérföldkőhöz érkezett a témában, ugyanis a vállalat illetékesei bejelentették: megkezdődött az első háromdimenziós NAND Flash memóriachipek sorozatgyártása.
A piac első háromdimenziós vertikális NAND Flash memóriachipjei V-NAND néven debütálnak és első körben 128 Gb-es kapacitásban lesznek elérhetőek. Ez memóriachipenként 16 GB-nyi adattároló kapacitást jelent - ugyanilyen adatsűrűségű memóriachipek adják a nemrégiben bemutatott Samsung 840 EVO SSD meghajtók tárhelyét is.
Az adathoz tartozó elektromos töltés tárolására a V-NAND memóriachipeknél az ún. floating gate helyett szigetelő szilícium-nitrid réteget használtak a mérnökök. Ez a "töltés-csapda architektúra" segít a cellák közötti interferencia csökkentésében, ami a kapu alapú Flash memóriachipeknél rendszerint megnehezíti a fejlettebb csíkszélesség alkalmazását. A V-NAND memóriachipek belsejében az egyes cellarétegeket szabadalmaztatott vertikális kapcsolat köti össze, ami lehetővé teszi akár 24 egymásra helyezett réteg összekapcsolását is.
Sajnos a Samsung új, 128 GB-es V-NAND memóriachipjeinél egyelőre nem derült ki, hogy pontosan hány réteg lapul a tokozáson belül, és az alkalmazott gyártástechnológiát is homály fedi. Mivel a 128 Gb-es planáris NAND Flash memóriachipek, amelyek a 840 EVO sorozat tagjaiban lapulnak, 19 nm-es csíkszélességgel készültek, a 840-es és 840 Pro modelleket erősítő NAND Flash memóriachipek pedig 21 nm-es gyártástechnológiát alkalmaznak, így a V-NAND valószínűleg szintén hasonló szintű gyártástechnológia alkalmazása mellett készült.
A V-NAND egyébként megbízhatóság tekintetében is figyelemre méltó előrelépést kínál, ugyanis egyedi cellastruktúrájának köszönhetően megbízhatósága 2x-10x nagyobb, mint a vállalat 19 nm-es csíkszélességgel készülő NAND Flash memóriachipjeié. Ezzel együtt a háromdimenziós V-NAND írási teljesítmény tekintetében is lekörözi planáris elődeit: a termék kétszer nagyobb írási teljesítményt kínál, mint a hagyományos NAND Flash memóriachipek.
A Samsung mérnökei persze ezután sem dőlnek hátra, gőzerővel folytatják a fejlesztéseket. A vállalat V-NAND technológiájával hamarosan 1 Tb-es, azaz 128 GB-nyi adattároló kapacitást kínáló memóriachip is készülhet, ami igen impresszív érték, hiszen ezt az adattároló kapacitást egyetlen háromdimenziós V-NAND chip kínálja majd.
Hogy a V-NAND mikor tűnhet fel kereskedelmi forgalomban? Nos, abból kiindulva, hogy a Samsung 128 Gb-es TLC NAND Flash memóriachipjeinek bemutatása, illetve a köréjük épülő 840 EVO SSD meghajtók megjelenése között mindössze 5 hónap telt el, nem kizárt hogy az év végén, vagy a következő év elején már találkozhatunk olyan meghajtókkal, amik ezt a technológiát használják.
