A Samsung jelenleg még uralja a NAND Flash memóriapiac nagy részét, ám úgy tűnik, a cellánként négy bitnyi adat tárolására képes QLC NAND Flash memóriachipek körül nem várt nehézségek léptek fel, legalábbis a ZDNet munkatársai erről számoltak be, iparági forrásaikra hivatkozva. Lényegében arról van szó, hogy a Samsungnál jelenleg problémát okoz a 280 cellarétegből álló 3D V-NAND Flash memóriachipek QLC alapú verzióinak gyártása, ugyanis teljesítmény terén problémákat fedeztek fel.
A 9. generációs 3D V-NAND Flash memóriatechnológia lényegében 2024 áprilisa óta sorozatgyártásban van, első körben a kevésbé bonyolult TLC NAND Flash chipekkel kezdték a folyamatot, amelyek a 280 cellarétegből álló dizájn révén 1 Tb-nyi adattároló kapacitást kínálnak. Közben a cellánként négy bitnyi adat tárolására képes QLC NAND Flash példányok fejlesztése is zajlott a háttérben, majd tavaly szeptemberben ezeket el is kezdték gyártani és tesztelni, ám ekkor nem várt esemény történt.
A problémát a jelek szerint az okozza, hogy alapvető tervezési hibát követhettek el a dizájn megalkotásánál, ami azt eredményezte, hogy a QLC NAND Flash alapú 9. generációs 3D V-NAND Flash memóriachipek teljesítménye nem úgy alakult, ahogy az elvárható lett volna. Hogy ez pontosan mit jelent, arról sajnos konkrétabb információ nem áll rendelkezésre, de remélhetőleg erre is fényt derítenek majd az iparági pletykálók.
A Samsung számára ez kifejezetten rossz hír, ami nem a legjobbkor jött. A vállalat ugyan még uralja a NAND Flash piacot, ha a teljes képet nézzük, a QLC NAND Flash technológia terén viszont lemaradásban van versenytársaihoz képest. Azok a jelenlegi 3D V-NAND Flash memóriachipek, amelyek QLC alapon működnek és különböző termékek formájában mostanság is elérhetőek, a 7. generációs 3D V-NAND Flash memória-technológia köré épülnek, ami manapság már nem nevezhető modernnek.
A 8. generációs 3D V-NAND Flash technológiából nem is készült QLC verzió, ott megmaradtak a TLC chipeknél, közben pedig zajlott a 9. generáció fejlesztése és a 10. generáció fejlesztésének előkészítése. A Samsung korábban a 10. generációs 3D V-NAND Flash memóriachipek TLC változatait már meg is mutatta a nagyérdeműnek még február folyamán, amikor kiderült, az újdonság 400-nál is több cellarétekből épül fel és 1 TB-nyi adattároló kapacitást kínál. Az persze akkoriban még nem derült ki, mikor kerülhet sorozatgyártásba az új fejlesztés.
Közben persze a vetélytársak sem ülnek tétlenül a babérjaikon: a Kioxia a 332 cellarétekből álló V10 osztályú NAND Flash memóriachipek sorozatgyártásának előkészítésén dolgozik, míg az SK hynix nemrégiben ért el áttörést az első 321 cellarétegből álló 2 Tb-es QLC NAND Flash memóriachip elkészítésével.
