A Samsung komoly mérföldkőhöz érkezett, ugyanis a tavaly augusztusban bejelentett 96-rétegű 3D V-NAND Flash lapkák sorozatgyártása végre megindult, így a termékek hamarosan az SSD meghajtók fedélzetére is felkerülhetnek.

Hogy milyen újításokat hoznak az új lapkák? Az egyik legjelentősebb változás, hogy a 96-rétegű 3D V-NAND Flash chipek már 1,4 Gbps-os Toggle DDR 4.0-s csatolón keresztül kommunikálnak, ami komoly előrelépés az előző generációs, 800 Mbps-os sebességgel dolgozó megoldáshoz képest. Ezzel egy időben a lapkák üzemi feszültsége is csökkent, méghozzá 1,8 Voltról 1,2 Voltra, így a nagyobb sebességű interfész extra fogyasztását sikerült kompenzálni. A hivatalos információk alapján a cellarétegek magassága 20%-kal csökkent, ami segít a lapkák közötti vertikális kapcsolat egyszerűbb kialakításában.

További előny, hogy a 96-rétegű memórialapkák a 64-rétegű példányokhoz képest 30%-kal jobb termelékenységgel gyárthatók. Az olvasási- és írási késleltetést szintén sikerült csökkenteni. Az olvasási késleltetés a 48 rétegről 64 rétegre történő váltás során azonos szinten maradt, ám a 96 réteget használó lapkák esetében sikerült jelentősen csökkenteni, így az most 50 μs értéket képvisel. Az írási késleltetés ugyancsak csökkent, mégohozzá 30%-kal, így ez most 500 μs.

A 96 réteggel dolgozó memórialapkák segítségével első körben egy 256 Gb-es 3D TLC V-NAND chipet készítenek, ami elsősorban a mobileszközök piacán, illetve az SSD meghajtók szegmensében kerül bevetésre. Később nagyobb kapacitású lapkák is érkeznek, amelyek a nagyobb adatsűrűség miatt kevesebbe kerülnek bitenként, így ezek már kiválóak lesznek az üzleti SSD-k piacára. Utóbbiak közé egyebek mellett egy 1 Tb—es 3D QLC V-NAND chip is érkezik, ami cellánként négy bit tárolására képes.