Shop menü

SAMSUNG GDDR6W MEMÓRIACHIPEK: DUPLA MEMÓRIA-SÁVSZÉLESSÉG ÉS DUPLA ADATSŰRŰSÉG

A GDDR6W alapú memória-alrendszerek adatátviteli sávszélesség terén a HBM2E alapú megoldásokkal versenyezhetnek.
Víg Ferenc
Víg Ferenc
Samsung GDDR6W memóriachipek: Dupla memória-sávszélesség és dupla adatsűrűség

A Samsung egy új fejlesztésen dolgozik a videó memóriák szegmensében, ez pedig nem más, mint a GDDR6W. Az elsődleges cél az, hogy a kiterjesztett valósághoz, illetve az egyéb, GPU- és videómemória-intenzív felhasználásokhoz költséghatékonyabb memória-technológiát biztosítson a vállalat, mint a HBM2/HBM2E, amit a konzumerpiaci termékeknél is hatékonyan lehet alkalmazni.

A GDDR6W több speciális technológiát is bevet a siker érdekében, például egyetlen tokozáson belül több DRAM lapka is elhelyezkedik, amelyek a GDDR6-hoz képest dupla sávszélességgel és dupla adatsűrűséggel ajándékozzák meg az adott rendszert, miközben maga a lapka a GDDR6-hoz hasonlóan egyszerűen alkalmazható, és magasság terén sem kell kompromisszumokat kötni.

Galéria megnyitása

A GDDR6W memóriachipek esetében a Samsung egy új technológiát vet be, ami a Fan-Out Wafer-Level Packing (FOWLP) nevet viseli. Ennek lényege, hogy a memórialapkák közvetlenül egy szilíciumostyán foglalnak helyet, nem nyomtatott áramköri lapra kerülnek, ahol a Re-Distribution Layer (RDL) technológia segítségével sűrű és finom vezetékelést alakítanak ki hozzájuk. Ez a megoldás a nyomtatott áramköri lap mellőzésének köszönhetően csökkenti a kész chip tokozásának magasságát, valamint a hőátadásra is pozitív hatást gyakorol.

A több memórialapkát tartalmazó GDDR6W tokozás a fentiek miatt igazából még alacsonyabb is, mint egy klasszikus GDDR6-os memóriachip: míg utóbbi 11 milliméter magas, addig a friss fejlesztés mindössze 0,7 milliméteres, vagyis 36%-kal alacsonyabb. A méret mellett az adatsűrűség és a memória-sávszélesség terén is vannak előrelépések – gyakorlatilag a HBM2E lapkákhoz képest is vonzónak tűnik az újdonság. A Samsung szerint a referencia GDDR6W memória-alrendszer, amely 512-bites memória-adatsínt használhat és 22 GHz-es effektív memória-órajelen ketyeg, 1,4 TB/s-os memória-sávszélességet kínálhat. Ehhez képest a HBM2E lapkákra támaskodó memória-alrendszer, amely 4096-bites memória-adatsínnel büszkélkedik, effektív órajele pedig 3,2 GHz-es értéket képvisel, 1,6 TB/s-os memória-sávszélességgel rendelkezik. Az összehasonlításban egyébként egy négychipes HBM2E és egy nyolcchipes GDDR6W rendszer szerepel.

Galéria megnyitása

A GDDR6W chip a HBM2E-hez képest a fentiek alapján csak egynyolcadnyi I/O sávot használ, memória-sávszélessége azonban mégis hasonló szinten helyezkedik el, cserébe viszont nincs szükség drága Interposer rétegre, illetve egyéb költséges megoldások használatára sem (microbumps). Az új technológia segítségével az egy tokozáson belül elérhető memóriakapacitás megduplázható, például 16 Gb-ről 32 Gb-re, közben pedig az I/O részleg is duplázódik, 32-bitről 64-bitre.

A GDDR6W ígéretes fejlesztésnek tűnik, amelynek szabványosítását már el is végezte a JEDEC, méghozzá az év második félévében. A GDDR6W egy költséghatékony és ütőképes megoldás lehet számos területen, például a noteszgépek piacán, illetve a HPC szegmensben is, ahol speciális gyorsítókártyákon kaphat helyet az új fejlesztés. A GDDR6W a helytakarékos és költséghatékony kivitel miatt új lehetőségek előtt nyithat kapukat: ugyanannyi helyen kétszer több memória kaphat helyet, ami a hagyományos GDDR6-os megoldásokhoz képest kétszer jobb adatátviteli sávszélességet kínálhat.

A Samsung arról egyelőre nem tett említést, pontosan mikor érkeznek a GDDR6W alapú termékek, az viszont már biztos, hogy a háttérben egy ideje zajlik az együttműködés a GPU gyártó partnerekkel.

Neked ajánljuk

    Tesztek

      Kapcsolódó cikkek

      Vissza az oldal tetejére