Kína legeredményesebb 3D NAND Flash memóriachip fejlesztője és gyártója, a Yangtze Memory Technology Co. nemrégiben egy rendkívül fontos mérföldkőhöz ért a 3D TLC NAND Flash memóriachipek terén, ugyanis kifejlesztették az 5. generációs 3D NAND Flash memóriachipeket, amelyek összesen 294 cellaréteggel rendelkeznek.

Ez a cellaréteg-mennyiség a jelenleg kereskedelmi forgalomban is jelen lévő megoldások között abszolút piacvezetőnek tekinthető, igaz, a 294 cellarétegből jelenleg csak 232 cellaréteget használnak ténylegesen, a többi jelenleg inaktív. Ezzel a módszerrel a kínai gyártó egyrészt növelheti a kihozatali arányt, hiszen van némi redundancia az új fejlesztésben, illetve engedélyezhet különböző extra szolgáltatásokat is, amennyiben a szükség, vagyis a megrendelői igény úgy hozza.

Az 5. generációs 3D NAND Flash memóriachipek aktív cellarétegek számát tekintve igazából ugyanazt tudják, mint 4. generációs társaik, hiszen azok is 232 aktív cellaréteggel érkeztek, viszont a teljes cellaréteg-mennyiség nőtt. Érdekesség egyébként, hogy a negyedik generációs megoldások sem csak 232 cellaréteget tartalmaznak, hanem 253-at.

A friss információ a TechInsights munkatársainak köszönhetően láthatott napvilágot, ugyanis a kínai vállalat hivatalosan be sem jelentette az új memóriachipeket, valószínűleg nagyrészt azért, hogy ezzel ne hívja fel magára az amerikai hatóságok figyelmét és ne kerüljön az újabb korlátozások célkeresztjébe a friss fejlesztés.

Az egyelőre nem világos, hogy az új memóriachipek pontosan hogyan épülnek fel, vagyis nem derült ki, hogy két darab 147 cellarétegből álló tömböt kapcsoltak-e össze, vagy kisebb tömbökből áll-e az újdonság. Akárhogy is, a teljes cellaréteg-mennyiséget tekintve az új memóriachipek igen komoly mérföldkőnek tekinthetőek mind a kínai memóriapiac, mind pedig a globális NAND Flash piac számára. Ennél több cellarétegből álló fejlesztést eddig még csak az SK Hynix csapata jelentett be a 9. generációs 3D NAND Flash memóriachipek formájában, amelyek 321 aktív cellaréteget tartalmaznak, igaz, ezek a memóriachipek majd csak az év első felében kerülhetnek forgalomba.

A friss kínai memóriachipek bitsűrűség terén is igencsak ütőképesek, ugyanis az 5. generációs 3D TLC NAND Flash memóriachipek négyzetmilliméterenként 20 Gb-nyi adat tárolására képesek, vagyis nagyjából az SK Hynix 321 cellarétegű megoldásaival vannak egy szinten. Ennél a Kioxia és a Western Digital által közösen fejlesztett BiCS 8-as 3D QLC NAND Flash memóriachipek magasabb bitsűrűséget kínálnak, ennek értéke 22,9 Gb négyzetmilliméterenként, de azok cellánként nem 3 bit, hanem 4 bit adatot tárolnak.

A fentiek alapján a YMTC új memóriachipjei, amelyek az XTacking 4.0-s architektúrát használják, és amelyeknél Hybrid Bonding technológiával kapcsolják össze a NAND Flash memóriacellákat a CMOS logikai áramkörrel és az adatsínnel, eléggé versenyképesnek tűnnek nyugati riválisaikkal szemben.