Az Intel és a Micron közösen jelentették be, hogy megkezdték az iparág első QLC NAND Flash lapkáinak gyártását és szállítását. Az új lapkák azért különlegesek, mert cellánként már nem kettő vagy három bitet tárolnak, mint az MLC, illetve a TLC típusú megoldások, hanem négyet – gyakorlatilag innen ered a Quad Level-Cell, azaz a négyszintű cella kifejezés.
Jönnek a QLC NAND Flash alapú adattárolók
Az aktuális QLC implementáció 64 rétegű 3D NAND Flash chip formájában érhető el, ami 1 Tb-es, azaz 125 GB-os kapacitást nyújt. Ezek a lapkák ugyanolyan technológiával készülnek, mint a ma egyre szélesebb körben terjedő 3D TLC NAND Flash chipek, cserébe viszont nagyobb adatsűrűséggel kecsegtetnek, hiszen egy bittel többet, négy bitnyi adatot tudnak eltárolni egyetlen cellában. Ez jótékonyan hat az adattároló kapacitásra, ugyanakkor megnehezíti a cellák programozását is, amely miatt csökken az írási teljesítmény, valamint a strapabíróság is. A QLC NAND Flash alapú megoldások jelenleg főleg olyan környezetben jöhetnek jól, ahol nagyrészt olvasási feladatokat kell ellátniuk, hiszen ebben nagyon jók, írási feladatok terén azonban már szerényebb képességekkel rendelkeznek, mint TLC alapú társaik.
Az Intel és a Micron által közösen fejlesztett QLC NAND Flash lapkáknál a hátrányok csökkentésére is komoly figyelmet fordítottak. Az újdonságok a CuA, azaz a CMOS Under the Array technológiát használják, amelynek keretén belül úgy rendezik el a lapkákat, hogy négy síkot alkalmaznak, szemben a versenytársak megoldásaival, amelyek csak két síkra támaszkodnak. A több sík használatával több adat párhuzamos írására nyílik mód, ami javítja az írási teljesítményt, így mindenképpen előnyös az alkalmazása. A QLC NAND Flash lapkák esetében már 16 feszültségszint különbözteti meg az egyes állapotokat, míg a TLC lapkáknál 8, az MLC lapkáknál pedig 4 szint állt rendelkezésre, azaz a programozás érezhetően bonyolódik.
A QLC NAND Flash lapkák az adatok szerint a TLC-nél megszokott 3000 írási/törlési ciklus helyett már csak 1000 írási/törlési ciklust viselnek el élettartamuk során, viszont 33%-kal több tárhelyet kínálnak, hála az extra bitnek. A jelenlegi 64-rétegű chipek után rövidesen harmadik generációs, 96 rétegű példányok is érkeznek, amelyek még nagyobb adatsűrűséggel rendelkeznek majd. Ezeket egyelőre még fejlesztik, így egy picit még várni kell a velük felszerelt termékekre.
Micron 5210 ION SATA SSD a QLC NAND Flash erejével
A Micron már be is mutatott egy olyan SSD sorozatot, amelyben QLC NAND Flash alapú meghajtók lapulnak. Ezek speciális, üzleti célra készített termékek, amelyek többféle változatban érkeznek, kapacitásuk 1,92 TB-tól egészen 7,68 TB-ig terjed. A friss meghajtókkal a 10 000-es fordulatszámmal működő SAS merevlemezeket szeretné kiváltani a gyártó, így a termék teljesítményét is ezekkel az adattárolókkal hasonlították össze, ehhez a Yahoo Cloud Serving Benchmarkot és az Appache Cassandra alkalmazást használták.
Egyetlen 5200 ION meghajtó gyorsabb volt, mint négy darab 10 000 RPM-es SAS merevlemezből áll tömb, a különbség pedig 2,2-szerestől 3,9-szeres előnyig terjedt, hála a sokkal alacsonyabb olvasási késleltetésnek. Amennyiben viszont írás-intenzív feladatra kerül sor, érdemesebb más termék után nézni, ugyanis az 5210 ION jellemzően azokhoz a terhelésformákhoz készült, amelyeknél 90% feletti az olvasási feladatok aránya.
Az 5210 ION modellek képességeiről egyelőre nem beszélt a gyártó, de így is lehet sejteni, milyen alapokkal állunk szemben. A jelek szerint az 5200 ECO modellekhez hasonlóan itt is Marwell 88SS1074-es vezérlő teljesít szolgálatot, méghozzá saját készítésű firmware-rel karöltve. Az új meghajtók írási teljesítménye gyengébb lesz, mint az 5200 ECO modelleké, valamint strapabíróság terén is szerényebb lehetőségekkel kell beérni.
Az új NAND Flash lapkákkal és az 5210 ION SSD meghajtókkal kapcsolatban augusztus elején, a Flash Memory Summit alkalmával árul el további részleteket a gyártó.
