A Samsung Electronics egy újabb fontos mérföldkő eléréséről számolt be a minap: a vállalat megkezdte az iparág legmodernebb, 14 bn-es gyártástechnológiát használó DDR5-ös DRAM lapkáinak gyártását, amelyeknél az egyes rétegek mintázásához EUV levilágítást is használnak. Az első EUV gyártástechnológiát használó DRAM lapkák szállítása egyébként tavaly márciusában indult meg, ám a friss, DDR5-ös szabvány köré épülő lapkáknál már több réteghez használják az EUV technológiát, mint a tavalyi termékekhez, hiszen ezeknél öt réteg készül vele.
Ahogy az újabbnál újabb memórialapkák gyártása során egyre lejjebb haladnak csíkszélesség terén a 10 nm-es szinthez, úgy egyre nagyobb jelentőséggel bír az EUV technológia alkalmazása, ugyanis segítségével növelni lehet a mintázás pontosságát, ami kulcsfontosságú a magas teljesítmény és a minél jobb kihozatali arány elérése érdekében.
A 14 nm-es csíkszélesség mellett bevetett EUV technológiának köszönhetően a Samsung jelenleg a legnagyobb bitsűrűséget tudhatja magáénak, ezzel egy időben az egy a termelékenységet is sikerült javítani, méghozzá nagyjából 20%-kal, hála annak a ténynek, hogy egy szilícium ostyára így már több DDR5-ös memórialapka fér.
A Samsung 14 nm-es EUV technológiával készített DDR5-ös memórialapkái idővel képesek lesznek akár 7,2 Gbps sebesség elérésére is, ahogy a gyártástechnológia kezd egyre jobban kiforrni, azaz jelentősen gyorsabbak lesznek a 3,2 Gbps-os DDR4-es memórialapkákhoz képest. A vállalat a 14 nm-es EUV gyártástechnológiával készülő DDR5-ös memórialapkákkal az adatközpontok, a szuperszámítógép-fürtök, valamint a különböző üzleti szerverek szegmensét is célba fogja venni. Ezzel egy időben már azon is dolgoznak, hogy az új gyártástechnológia köré épülő memórialapkák esetében a lapkák kapacitását 16 Gb-ről 24 Gb-re emeljék, ezzel hatékonyabban ki lehet majd szolgálni a globális IT infrastruktúrában egyre inkább fokozódó memória-éhséget.
