A TSMC háza táján gőzerővel zajlanak a fejlesztések, már ami az újabbnál újabb gyártástechnológiákat illeti, de ezzel egy időben gyárépítések és gyárfejlesztések is folynak a háttérben, valamint tokozással kapcsolatos technológiákat is fejlesztenek a vállalat szakemberei, azaz igencsak ég a munka a kezeik alatt.
Ennek persze meg is van az eredménye, ugyanis a vállalat a világ legnagyobb félvezetőipari bérgyártójává nőtte ki magát, és a jelek szerint továbbra sem veszik fél vállról a munkát, a piaci elsőség megtartása érdekében komoly tempóban zajlik a fejlesztőmunka. A DigiTimes iparági informátorai szerint a TSMC remekül áll a 2 nm-es csíkszélességgel és EUV levilágítással dolgozó következő generációs node fejlesztésével, ami egy igen fontos mérföldkő lesz a vállalat történetében.
A 2 nm-es EUV gyártástechnológia lényegében az első, amelynél már nem a FinFET, hanem a következő generációs GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor) technológiát használják, már ami a tranzisztorok kivitelét illeti. A FinFET egyébként elég hosszú időn át, közel egy évtizeden keresztül játszott főszerepet a TSMC gyártástechnológiáinál, ugyanis a 16 nm-estől egészen a 3 nm-es csíkszélességig ezt a felépítést használták a tranzisztorok esetében. A 2 nm és 1 nm közötti csíkszélességeknél már a GAAFET játszhatja a főszerepet.
A 2 nm-es csíkszélesség bevetésére a Baoshan kampusz területén található új üzemet használják, aminek a jól ismert Hsinchu Science Park ad helyet, Tajvan északi részén. Amennyiben minden a terveknek megfelelően zajlik, akkor a 2 nm-es gyártástechnológia rövidesen, az év negyedik negyedévében kísérleti termelésbe állhat. A kísérleti termelés alkalmával szerzett tapasztalatoktól függően akár már a 2025-ös esztendő második negyedévében megindulhat a különböző chipek sorozatgyártása az említett csíkszélesség alkalmazása mellett.
Amíg utóbbira sor kerül, addig az N3 osztályú csíkszélességek finomítása zajlik majd, amelyek utolsóként alkalmazhatják a FinFET tranzisztor-technológiát. A Samsung háza táján hasonló ütemterv van érvényben, ugyanis a dél-koreai gyártó szintén 2025 folyamán szeretné bevetni 2 nm-es osztályú gyártástechnológiáját, ami az SF2 nevet viseli. Az Intelnél a 20A node, ami ugyanúgy GAAFET technológiát alkalmaz, de RibbonFET névvel hivatkoznak rá, már akár 2024 folyamán tömegtermelésbe állhat, ha minden rendben zajlik a kísérleti gyártás során.
