A TSMC a korábbi hírek alapján már 2024 folyamán elkezdené a 2 nm-es csíkszélességgel történő kísérleti termelést, míg a tömegtermelést valamikor 2025 második felében indítanák meg a legmodernebb node alkalmazása mellett. A tajvani ellátási lánc az elmúlt napok folyamán érdekes fejleményekről osztott meg információt, ezek alapján úgy tűnik, hogy a TSMC egy picit elcsúsztatja a tömegtermelés beindítását a 2 nm-es csíkszélesség esetében, ugyanis a vállalat vezetése állítólag nem elégedett a megrendelések alakulásával, lényegében lomhának nevezik az érdeklődést, ennek megfelelően változtatnak a korábbi stratégián is. A kísérleti termelést végző FAB 20-as üzem esetében, amely Hsinchu Boashan területén található, állítólag már le is lassították a munkát.
Ahogy az korábban kiderült, a 2 nm-es csíkszélesség bevetésére három új üzemet húz fel a tajvani nagyvállalat, amelyek közül az egyik Hsinchu Baoshan területén, vagyis a sziget északi felé, a második a sziget közepén található Taichung Zhongke területén, míg a harmadik a sziget déli részén elhelyezkedő Kaohsiung Nanzi területén épül fel. Az említett üzemek közül a Hsinchu Baoshan területén lévő Fab 20 lehet az első, amely a kísérleti termelést megkezdi, ez az üzem lényegében a vállalat kutató-fejlesztő központja mellett helyezkedik el. Az új csíkszélesség rendkívül fontos lesz a következő generációs processzorok, videokártyák, illetve a mobilok következő generációs SoC egységei számára.
A pletykák szerint az ügyfelek felől nem mutatkozik olyan élénk érdeklődés az új csíkszélesség iránt, mint azt várták, ez pedig arra ösztönözheti a nagy tajvani félvezetőipari bérgyártót, hogy változtasson az eredeti forgatókönyvön és egy kicsit eltolja a 2 nm-es csíkszélesség bevezetését, ami azt jelenti, hogy 2025 második fele helyett majd csak valamikor 2026-ban indulhat meg a tömegtermelés. A 2 nm-es csíkszélesség azért is fontos mérföldkő, mert ez lesz a TSMC első gyártástechnológiája, amely a korábbi FinFET helyett immár Gate-All-Around (GAA) tranzisztor-technológiát alkalmazhat. A Samsung ezen a téren előrébb jár, ugyanis 3 nm-es csíkszélességénél már bevezette a GAA tranzisztor-dizájnt.
A TrendForce munkatársai készítettek egy beszédes kis táblázatot, ami megmutatja, az egyes félvezetőipari szereplők hol tartanak majd az egyes időszakokban, már ami a különböző gyártástechnológiák bevezetését illeti. Amennyiben igaz a TSMC háza tájáról érkező pletyka, az a Samsung számára egy új lehetőség lehet arra, hogy növelje a piaci részesedését.
A TSMC vezetése a konkrét pletykára nem kívánt reagálni, mindössze annyit árultak el, hogy az üzemek építése a terveknek megfelelően halad.
