Shop menü

JÖVŐRE ÉRKEZNEK A MICRON ELSŐ OLYAN DRAM CHIPJEI, AMELYEK MÁR EUV GYÁRTÁSTECHNOLÓGIÁVAL KÉSZÜLNEK

Az új node jóvoltából költséghatékonyabb és energiahatékonyabb DRAM chipek készülhetnek, hála annak, hogy az újdonságok az iparág legkisebb DRAM celláját alkalmazzák.
Víg Ferenc (J.o.k.e.r)
Víg Ferenc (J.o.k.e.r)
Jövőre érkeznek a Micron első olyan DRAM chipjei, amelyek már EUV gyártástechnológiával készülnek

A Micron csapata végre készen áll az EUV litográfia bevetésére, ami több szempontból is előnyöket tartogat a DRAM gyártás területén. Az EUV (Extreme Ultra-Violet) levilágítást már a vállalat több riválisa is használja egy ideje, gondoljunk csak a Samsung vagy az SK Hynix aktuális gyártástechnológiáira, de a Micronnál nem siettek az újítás bevetésével, helyette a klasszikus DUV Multi-Patterning technológiából próbálták kihozni a maximumot. A tervek szerint jövőre az EUV litográfia is helyet kap a gyártósorokon, méghozzá az 1-gamma gyártástechnológia esetében, ami 2025-ben állhat tömegtermelésbe, már amennyiben minden a terveknek megfelelően alakul.

Jelenleg a gyártó DRAM chipjei DUV alapon készülnek, az 1α és 1ß node-ok esetében egyaránt az volt a legfőbb szempont, hogy mind költséghatékonyság, mind pedig teljesítmény terén versenyképesek legyenek a köréjük épülő termékek, és ezt igazából sikerült is megvalósítani. Közben az SK Hynix és a Samsung üzemeiben már szolgálatba álltak a drága EUV gépek, amelyek darabonként nagyjából 200 millió dollárba kerülnek, cserébe viszont segítenek a költséghatékonyabb gyártás megvalósításában.

Galéria megnyitása

A Micron EUV gyártástechnológiája jelenleg kísérleti termelésben dolgozik, a tesztek jól haladnak, a finomhangolás még folyik, ám úgy tűnik, sikerül majd tartani a tervet, 2025-ben tényleg szolgálatba állhat a vállalat első EUV node-ja, az 1 γ. Az újításnak azért van nagy jelentősége, mert segít a vállalat versenyképességének növelésében, hiszen segítségével olcsóbb és energiahatékonyabb memóriachipeket lehet készteni, hála annak a ténynek, hogy az iparág legkisebb DRAM celláját alkothatják meg. Az egyelőre kérdéses, hogy az új DRAM cella teljesítménye pontosan hogyan alakul majd, de idővel erre is választ kaphatunk. Maga az 1 γ node Japánban, a Hiroshima területén található fejlesztőközpontban született meg.

A vállalat egyébként már egy ideje teszteli az EUV litográfiai technológiával dolgozó ASML NXE EUV gépeit, a munka során olyannyira sikerült optimalizálni a folyamatokat, hogy kihozatali arány és minőség terén az 1α és az 1ß node EUV és nem-EUV alapú verziói között nincs jelentős különbség. A Micron vezetője, Sanjay Mehrotra úgy látja, az új gyártástechnológia remekül halad a cél felé, bevetésére a következő év folyamán sor kerülhet sorozatgyártásban is, ahogy azt korábban tervezték.

Neked ajánljuk

    Tesztek

      Kapcsolódó cikkek

      Vissza az oldal tetejére