A Samsung illetékesei megerősítették, a vállalat korábban közölt terveinek megfelelően a következő esztendő folyamán bemutatkozhatnak az első 300-nál is több cellarétegből álló V-NAND Flash memóriachipek. A V-NAND lapkákkal szerelt SSD-k meglehetősen népszerűek a piacon, az új fejlesztés pedig segíthet mind az adattároló kapacitás, mint pedig a sebesség növelésében, ami mindenképpen jó hír a felhasználók számára. A 300-nál is több cellaréteget tartalmazó 3D V-NAND Flash memóriachipek már a 9. generációt képviselik majd és a Samsung szerint ez a fejlesztés lesz a legtöbb aktív cellaréteggel ellátott megoldás a piacon a következő év folyamán.
A tervek szerint a 9. generációs 3D V-NAND Flash memóriachipek, amelyeket a Samsung csak V-NAND chipekként jellemez, a 3D jelzőt nem igazán használja hozzájuk, várhatóan már a következő év elején sorozatgyártásba kerülhetnek. Felépítés tekintetében úgynevezett Double-Stack struktúrára számíthatunk, vagyis két darab lapkát huzaloznak össze egyetlen chipen belül, ezek egyenként 150-nél is több cellaréteggel rendelkeznek majd. Ezt, vagyis a Duble-Stack felépítést már 2020 óta alkalmazza a dél-koreai vállalat a V-NAND Flash kínálat tagjainál, vagyis ezen a téren újításra nem számíthatunk, de a cellarétegek száma növekszik, valamint az I/O sebesség is emelkedni fog.
Azt egyelőre nem árulták el a vállalat illetékesei, pontosan hány cellarétegből állnak majd, az viszont már nem titok, hogy az SK-Hynix következő generációs 3D NAND Flash memóriachipjei összesen 321 aktív cellaréteggel rendelkezhetnek, vagyis a Samsung megoldásai ennél több aktív cellaréteget kaphatnak, amennyiben vezető pozícióra törekszik velük a gyártó a NAND Flash piacon.
A Samsung jelenleg még nem mutatott be olyan konzumerpiaci SSD-ket, amelyek PCI Express 5.0-s SSD vezérlővel rendelkeznének, ám ez az új, 9. generációs V-NAND Flash chipek érkezésével megváltozhat, vagyis méltó utódokat kaphatnak a 990 Pro sorozat jelenlegi tagjai.
A dél-koreai vállalat hosszabb távon több célt is kitűzött annak érdekében, hogy a cellarétegek számát megbízhatóan és stabilan növelni lehessen. Ezek között szerepel a cellák közötti interferencia mértékének csökkentése, a cellarétegek magasságának csökkentése, valamint a vertikális rétegszám maximalizálása is fontos szempont. A Samsung mérnökei idővel 1000 cellarétegnél is többet szeretnének belezsúfolni egy-egy V-NAND Flash memóriachipbe, amihez még sok-sok fejlesztésre lesz szükség. A végső cél az, hogy az aktuális V-NAND Flash generáció köré épülő megoldások minden területen ütőképesek legyenek a riválisok megoldásaival szemben, legyen szó konzumerpiaci konfigurációkról, vagy éppen az adatközpontokba szánt SSD kártyák szegmenséről.
A 9. generációs V-NAND Flash memóriachipek köré épülő SSD meghajtókról és kártyákról később érkezhetnek részletesebb információk.
