A Samsung félvezetőipari bérgyártó üzletága, a Samsung Foundry nemrégiben terítette lapjait, már ami az elkövetkező néhány év folyamán bevezetésre kerülő gyártástechnológiákat illeti. A bejelentésre a Samsung Foundry Forum alkalmával, az Amerikai Egyesült Államokban került sor, ahol szóba kerültek a 2 nm-es osztályú, illetve az 1.4 nm-es osztályú gyártástechnológiák, valamint nagyvonalakban azt is elárulták az illetékesek, ezek mikortól juthatnak szerephez a gyártósorokon.
Érdekesség, hogy a korábban SF3P néven ismert node-ot átnevezték, így az végül SF2 név alatt láthatja meg a napvilágot még 2025 folyamán. Ez a gyártástechnológia a tervek szerint elsősorban a nagy teljesítményű chipekhez használható, így például a HPC piacra fejlesztett gyorsítókhoz, illetve az okostelefonokba szánt SoC egységekhez, vagyis igen nagy jelentőséggel bír majd, ennek megfelelően a Samsung illetékesei nagy reményeket fűznek hozzá. Amennyiben minden a terveknek megfelelően alakul, arra is lehetőség nyílik, hogy a 2 nm-es node esetében megelőzzék a tajvani TSMC-t, ugyanis utóbbi majd csak 2025 végén kezdheti el bevetni saját, N2 névre keresztelt gyártástechnológiáját, ami szintén 2 nm-es osztályúnak tekinthető. Az persze más kérdés, hogy az efféle jelölések nem annyira számítanak, mint az, hogy az egyes csíkszélességek konkrétan mekkora előrelépést kínálnak házon belül, illetve a rivális megoldásokhoz képest. Erre sajnos nem derült fény, legalábbis egyelőre.
A következő fontos lépés a teljesítményre hangolt SF2P gyártástechnológia bevezetése lesz, ami a 2026-os esztendő folyamán juthat szerephez. Itt lényegében finomhangolják az eredeti SF2 node-ot, amelynek köszönhetően növekszik majd a tranzisztor-teljesítmény, ennek ára viszont az lesz, hogy a tranzisztorsűrűség kisebb mértékben csökken. Nem szokatlan az efféle kompromisszum az iparágon belül.
A Samsung tervei szerint 2027-ben az SF2Z is felbukkan majd, ami azért lesz érdekes, mert úgynevezett Backside Power Delivery technológiát alkalmaz, vagyis hátlapi tápellátással dolgozik, ami több szempontból is kiemelten fontos. Egyrészt az újítás hatására növekedhet a tranzisztorsűrűség, illetve a teljesítmény is, miközben javul a tápellátás minősége, tisztasága, illetve a feszültségesés is kezelhetőbbé válik, ami egy kritikus szempont a fejlett chipek gyártása folyamán.
Ugyanebben az esztendőben, azaz 2027 folyamán debütálhat a következő nagy fejlesztés, az SF1.4-es node, ami már 1,4 nm-es csíkszélességnek tekinthető. Noha az SF2Z esetében már bevetik az említett előnyökkel járó Backside Power Delivery technológiát, ez az SF1.4-ből kimarad majd, pedig a riválisok, vagyis az Intel 20A és a TSMC A16 gyártástechnológiái alkalmazni fogják. Arról nincs hír, hogy miért döntöttek a BSPDN kihagyásáról a Samsung mérnökei, de nincs kizárva, hogy ezzel is a gyártás költséghatékonyságát próbálják növelni, ami szintén fontos szempont. Kérdés, a technológia kihagyása összességében mekkora versenyhátrányt jelent majd a TSMC-vel és az Intellel szemben, egyáltalán jelent-e, és ha igen, ezt ellensúlyozza-e a költséghatékonyabb gyártás…
A dolgok jelenlegi állása szerint a Samsung Foundry útiterve összhangban van az iparági szereplők terveivel, ám a dél-koreai vállalat arról egyelőre nem beszélt, az egyes node-ok pontosan hogyan teljesítenek előző generációs társaikkal, illetve a rivális megoldásokkal szemben, pedig ezek az adatok igen sok kérdést oszlathatnak el.
További érdekesség, hogy a Samsung Foundry a modern csíkszélességek mellett egy kevésbé modern, de még így is az élvonalba tartozó, cserébe viszont költséghatékonyabban alkalmazható gyártástechnológiát is bemutatott, ami a 4 nm-es osztályú csíkszélességének egy speciális variánsa. Az SF4U névre keresztelt újítás mind fogyasztás, mind teljesítmény, mind pedig tranzisztorsűrűség terén előrelépést kínál, hála a fejlettebb dizájnnak. Ez a gyártástechnológia a tervek szerint 2025 folyamán állhat tömegtermelésbe.
