A TSMC második generációs 3 nm-es gyártástechnológiája, az N3 után érkező N3E a jelek szerint nagyon szépen halad a tömegtermelés felé, ugyanis a vállalat egyik ügyfele, az Alphawave sikeresen elkészítette első N3E alapú lapkáját, ami a TSMC tesztjein megfelelt, azaz működőképes termékről va szó, ami komoly fegyvertény.
A lapka egy speciális, adatközpontokba szánt megoldás, egy úgynevezett SerDes chip (Serialiser-Deserialiser), ami a ZeusCore 100-as nevet viseli. A lapka sávszélesség-kiszolgálása 1 Gbps-tól 112 Gbps-ig terjed, támogatja az NRZ és a PAM4 modulációt, valamint számos fontos szabvánnyal is kompatibilis, ezek közé tartozik a 800G Ethernet, az OIF-112G-Cei, a PCI Express 6.0, illetve a CXL 3.0 is. A chip extra hosszú csatornákat támogat, ennek köszönhetően rugalmas kapcsolati megoldások készítésére nyílik lehetőség általa, ami különösen fontos szempont lesz a következő generációs szervereknél.
Az Alphawave terméke egy viszonylag kicsi lapka, ami rendkívül sokat tud profitálni az új generációs csíkszélességből, és az efféle termékek a TSMC számára is hasznosak, hiszen a kezdeti időszakban segítenek a gyártástechnológia sajátosságainak megismerésében, illetve abban is, hogy kiderüljön, hogyan vizsgázik élesben.
A TSMC tervei szerint az elkövetkező kettő vagy három esztendő folyamán összesen ötféle 3 nm-es gyártástechnológiát mutathat be, amelyek közül az első generációs N3 csak néhány alfa megrendelő számára lesz elérhető és csak néhány dizájn készül vele, míg a második generációs N3E, amellyel az Alphawave fentebb említett lapkája is ékszült, szélesebb körben is elérhető lesz.
Az N3E sokkal nagyobb érdeklődésre tarthat számot, ugyanis gyorsul vele a termelés, javul a kihozatali arány, de ezzel együtt a teljesítmény és a fogyasztás is kedvezőbb lesz. Az N3E az N5-höz képest 18%-kal jobb teljesítményt nyújt ugyanakkora fogyasztás mellett, vagy 34%-kal kisebb fogyasztást produkál a vele készített chip azonos sebesség mellett. A tranzisztorsűrűség 1,7x-es lesz az N5-höz képest. Az N3 ezzel összevetve 10-15% közötti gyorsulást tud felmutatni az N5-tel összevetve ugyanakkora fogyasztás mellett, vagy 25-30%-kal nagyobb sebességet tud elérni ugyanakkora fogyasztással. A tranzisztorsűrűség ebben az esetben 1,6x-os lesz az N5-höz képest.
Az N3E gyártástechnológia valamikor a következő év második vagy harmadik negyedévében állhat tömegtermelésbe, vagyis 1 évvel az N3 után debütál. Később három újabb 3 nm-es osztályú node is érkezik, amelyek közül az N3P a teljesítményre helyezi a hangsúlyt, az N3S a tranzisztor-sűrűségre koncentrál, míg az N3X a processzorok terén jöhet jól.
