A Samsung vezetése éppen a napokban jelentette be, hogy minden a legnagyobb rendben halad a 3 nm-es csíkszélességgel dolgozó 3GAE gyártástechnológia bevezetése körül, ennek megfelelően az idei esztendő második negyedévében, vagyis még ebben a negyedévben megindulhat a tömegtermelés az említett gyártástechnológia használta mellett. A 3GAE igazából egy nagy jelentőségű gyártástechnológia az iparágon belül, ugyanis elsőként alkalmaz GAAFET (Gate-all-around Field Effect Transistor) technológiát, amit a Samsung máshogy nevez, ők ugyanis az MBCFET (Multi-Bridge Channel Field Effect Transistor) nevet használják vele kapcsolatban, illetve a dizájn is más egy kicsit, ahogy az a lenti ábrán is látszik, de a koncepció ugyanaz.

A 3GAE érkezésével kapcsolatban nagyjából három esztendeje érkeztek az első hivatalos információk, ugyanis akkor jelentette be formálisan a vállalat az új gyártástechnológiát.  Akkoriban egy 256 Mb-es GAAFET SRAM chip kapcsán árulta el a dél-koreai gyártó, hogy az új tranzisztor-technológiával dolgozó gyártástechnológia pontosan milyen tulajdonságokkal rendelkezik majd. Az összehasonlítás alapját a 7 nm-es FinFET gyártástechnológia adta, ehhez képest a 3GAE esetében 30%-kal nagyobb teljesítmény, 50%-kal kisebb fogyasztás, illetve 80%-kal magasabb tranzisztor-sűrűség érhető el. Ahogy azt az efféle állítások kapcsán megszokhattuk, a teljesítménynövekedés azonos fogyasztás mellett értendő, a fogyasztáscsökkenés pedig azonos órajelre vonatkozik. A GAAFET technológiával a cellaterület is jelentősen csökkenthető, méghozzá 20-30%-os mértékben.

A 3GAE gyártástechnológia alapját biztosító GAAFET tranzisztor-technológia több előnnyel is rendelkezik a FinFET technológiához képest. Előbbinél a csatornák horizontálisak és kapuáramkör veszi körbe őket, magukat a csatornákat pedig sokkal precízebben és pontosabban lehet kialakítani, ugyanis esetükben vékonyréteg-leválasztást, valamint szelektív anyag-eltávolítást használnak, így a tranzisztorcsatorna szélességét nagyon pontosan lehet kialakítani. Amennyiben nagy teljesítményre van szükség, a csatornákat szélesebbre tervezik, míg akkor, ha az alacsony fogyasztás a lényeg, vékonyabb csatornákat alakítanak ki. A nagyfokú precizitás miatt jelentősen csökken a tranzisztorok szivárgóárama, ez pedig csökkenti a fogyasztást, valamint a tranzisztorok közötti teljesítmény-hullámzást is. Ezek együttesen segítenek abban, hogy gyorsabban lehessen jó kihozatali arányt elérni, így hamarabb megindulhat a termelés, a chipek hamarabb elkészülnek és a kihozatali arány is magasabb lehet nagy általánosságban.

A Samsung tervei szerint a 3GAE egy korai 3 nm-es osztályú gyártástechnológia lesz, amit elsősorban a vállalat LSI részlege, azaz a chipfejlesztő részleg használ majd, de néhány alfa megrendelő is hozzájuthat. Az új gyártástechnológia segítségével rengtek chip készülhet, valamint az alfa megrendelők is nagy mennyiségben gyártathatják lapkáikat az új csíkszélességgel, így a 3GAE gyártástechnológiát igen széles körben alkalmazhatják majd az iparágban – már amennyiben a teljesítménnyel és a kihozatali aránnyal kapcsolatban minden a tervek szerint alakul.