A Samsung fontos eredményt ért el HBM2 fronton, ugyanis elkészítette a világ első olyan HBM2-es „lapkaszendvicsét”, amely már nem 8 rétegből áll, mint az aktuális csúcskategóriás megoldások, hanem 12 rétegből, ráadásul a tokozás magassága sem változott, ami rendkívül jó hír, hiszen a meglévő dizájnokhoz is illeszthető az új chip. Ezzel a HBM2E szabványt sikerült maradéktalanul kiaknázni, hiszen 24 GB-os maximális kapacitást és lapkacsoportonként 307 GB/s-os maximális adatátviteli sávszélességet kínál – a Samsung új chipje pont ugyanezekkel a tulajdonságokkal rendelkezik.

A 12 rétegből álló 3D-TSV technológia jóvoltából egy-egy chip belsejében összesen 12 darab DRAM lapkát lehet egymásra rétegezni, a vastagság azonban 720 mikrométer maradt, csak úgy, mint a Samsung aktuális nyolcrétegű megoldásainál, ami a gyártók számára előnyös, hiszen így növelhetik termékeik memóriakapacitását a dizájn megváltoztatása nélkül, ahogy azt fentebb már említettük.

Az új chipek esetében a 12 DRAM lapka függőleges összeköttetésben van egymással, közöttük pedig több, mint 60 000 TSV teremt kapcsolatot egy háromdimenziós megoldás keretén belül. Egy-egy ilyen TSV szál vastagsága akkora, mint egy normál emberi hajszál vastagságának egyhuszada, azaz igen parányi.

A négy extra lapkaréteg jóvoltából a Samsung már akár 24 GB-nyi memóriát is belezsúfolhat egyetlen chipbe, ami igen komoly előrelépés a rendelkezésre álló 8 GB-os HBM2-es chipekhez képest. És további jó hír, hogy az új HBM2E lapkák nem csak kapacitás terén kínálnak előrelépést, hanem teljesítmény és fogyasztás terén is, hiszen alacsonyabb adatátviteli idők és alacsonyabb fogyasztás mellett dolgoznak. A Samsung tervei szerint az új lapkák sorozatgyártása rövidesen megindulhat, így könnyen lehet, hogy a következő generációs csúcskártyákon már ilyen lapkák dolgoznak majd.