Noha azok az idők már elmúltak, amikor a Qimondfa és az Infineon együttműködéséből új DRAM chipek jöhettek létre, hála a közösen végzett fejlesztőmunkának és gyártásnak, hiszen az efféle munka idővel fenntarthatatlanná vált, már ami a profitot illeti. Úgy tűnik, ismét visszatérhet Németországba a memóriafejlesztéssel és memóriagyártással kapcsolatos tevékenység, legalábbis erre utal az, hogy a Ferroelectric Memory Co. (FMC) és a Neumonda csapata együttműködést jelentett be, ennek keretén belül a DRAM+ névre keresztelt memóriatípus fejlődhet és készülhet, amihez óriási reményeket fűznek.
Ezúttal tehát speciális memóriát fejleszthetnek és gyárthatnak, ami a ferroelektromos hafnium-oxid köré épül (HfO2), és ami tápellátás nélkül is képes lesz megőrizni a rajta található adatokat, nem úgy, mint a jelenlegi DRAM chipek. A kulcs az, hogy a DRAM dizájnban található tipikus kondenzátort felváltja egy nem-illékony verzió, miközben a teljesítmény magas szinten marad, az energiahatékonyság kedvezően alakul, és extraként adatmegtartó képesség is rendelkezésre áll. Az FMC szerint az új memóriatípus nagyon sok területen jöhet jól, például az egészségügyi eszközöknél, az ipari termékeknél, de az autóiparban és a szórakoztatóelektronikai termékek fedélzetén is jó szolgálatot tehet.
A FeRAM technológia leporolt és újragondolt verziójának titulálható DRAM+ technológia már nem a klasszikus PZT-t használja ferroelektromos rétegként. Az ólom-cirkonát titanát helyét a fentebb említett hafnium-oxid vette át, ami sokkal kedvezőbb tulajdonságokkal rendelkezik és a technológia fejlődését is segíti. Az ólom-cirkonát titanát esetében jellemzően csak néhány megabájtos, többnyire 4-8 MB-os kapacitású memóriachipeket lehetett létrehozni, ott meg is állt a fejlődés az említett anyag használata mellett. A PZT nagyon rosszul skálázódik a node-ok fejlődésével, valamint a hagyományos CMOS gyártástechnológiákba sem lehet egyszerűen és költséghatékonyan integrálni, így alkalmazása költséges és körülményes. Ennek eredményeként az olyan struktúrák, ahol 1 tranzisztor és 1 kondenzátor alkotott egy egységet (1T1C), sokkal több területet foglaltak, mint ahogy azt a NAND vagy a DRAM esetében megszokhattuk.
A hafnium-oxid a fenti problémák nagy részét hatékonyan ki tudja küszöbölni, vagyis új rendületet ad a FeRAM fejlesztésének. Ez az anyag már kompatibilis a hagyományos CMOS gyártástechnológiai folyamatokkal, 10 nm alá is jól skálázható, valamint be lehet integrálni az aktuális gyártási láncokba is. A kedvező tulajdonságai révén magasabb kapacitású memóriachipek gyárthatóak, mint a korábbi technológiával, valamint a teljesítmény is magasabb lehet: kapacitás terén a Gb-es szintet, míg sebesség szerint a GB/s-os szintet ostromolhatja, vagyis ezeken a területeken versenyképes lehet a DRAM-mal szemben.
Az FMC és a Neumonda együttműködése kritikusan fontos a DRAM+ technológia sikerét illetően. A Neumonda konzultációval és tesztrendszerekkel segíti a fejlesztői munkát, utóbbiak különösen nagy jelentőséggel bírnak, hiszen olcsók, energiahatékonyak és lehetővé teszik a független memória-tesztelést. A Neumonda rendszerei olyan szinten részletes adatokat kínálnak, amelyeket nem igazán lehet elérni a klasszikus felszerelésekkel, közben pedig jelentősen olcsóbban üzemeltethetőek, ami egy fejlődő technológia esetében különösen fontos.
A felek a DRAM+ technológiával kapcsolatos együttműködés révén valamilyen szinten megágyaznak annak is, hogy az európai félvezetőipar képességei ismét feléledjenek és fejlődjenek. Az együttműködés révén újjáépülhet a helyi ökoszisztéma, ami a fejlett memória-technológiák és memória-chipek tesztelését és tervezését segítheti.
