A Samsung Electronics egy rendkívül fontos mérföldkőhöz érkezett a napokban, ugyanis a dél-koreai óriásvállalatnál elindították az iparát első olyan 3D V-NAND Flash memóriachipjeit, amelyek a 9. QLC generációt képviselik. A vállalat április folyamán már elindította az iparág első 9. generációs 3D TLC NAND Flash memóriachipjeinek gyártását is, így a friss, QLC alapú termékkel tovább erősíthetik piaci pozíciójukat a NAND Flash szegmensben.
A 9. generációs 3D QLC NAND Flash memóriachipek, vagy ahogy a Samsungnál hívják őket, a 9. generációs QLC V-NAND Flash memóriachipek számos áttörést hoznak technológiák szintjén, amelyeknek köszönhetően az iparág legmagasabb cellaréteg-számát tudhatják magukénak QLC fronton. A cellarétegek számának növeléshez bevetették a Channel Hole Etching technológiát, amit a 9. generációs TLC V-NAND Flash chipek gyártásánál már tökéletesítettek. Az új szerkezet keretén belül optimalizálták a cellák által elfoglalt terület méretét, méghozzá a kiszolgáló áramkörökkel együtt, ezzel piacvezető bitsűrűséget értek el: az előző generációs QLC V-NAND Flash memóriachipekhez képest nagyjából 86%-kal nőtt a bitsűrűség, ami igen komoly előrelépés.
Optimalizálták a World Line részleg felépítését is, amelynél a sortávolság igazításával biztosították az egységességet és az optimális működést, ezáltal a cellákat működtető részegységek a rétegen belül és a rétegek között is ideális feltételek mellett működhetnek. Ez kifejezetten fontos ahhoz, hogy a cellarétegek számát megbízhatóan és stabil működés mellett növelhessék. A Design Mold technológia nemcsak ezért jön jól, hanem az adatmegtartó képesség fokozása miatt is, hiszen ez az érték a korábbi generációhoz képest 20%-kal javult, ami hozzájárul a termékek megbízhatóságának növekedéséhez.
A következő a sorban a prediktív programozási technológia, amellyel a várható cellaállapot-változásokra felkészülhet a rendszer, ezáltal minimalizálni lehet a szükségtelen műveletek számát. A 9. generációs QLC V-NAND technológia ennek révén duplájára emelte az elérhető írási teljesítményt, valamint az adatkezelés I/O sebességét is sikerült nagyjából 60%-kal növelni, ami alighanem az IOPS értékeken is meglátszik majd.
Csökkentették továbbá az adatok olvasásához és írásához szükséges fogyasztás mértékét, méghozzá sorrendben 30%-kal és 50%-kal, amit az úgynevezett Low-Power Design jóvoltából sikerült realizálni. Ez, vagyis az LPD lényegében abban segít, hogy a cellák vezérléséhez szükséges feszültség értékét csökkenti, ezáltal minimalizálja a fogyasztást, méghozzá úgy, hogy csak a szükséges Bit Line-okat (BL) fogják munkára.
Az új memóriachipek sorozatgyártása tehát már megindult, arról azonban nincs hír, hogy ezek konkrétan mely termékek fedélzetén, mikor jelenhetnek meg kereskedelmi forgalomban. A Samsung tájékoztatása a 9. generációs QLC V-NAND Flash memóriachipek pontos cellaréteg-számát sem árulta el, az iparági tippek alapján azonban 280 cellarétegről lehet szó az 1 Tb-es kapacitású chip esetében. Az viszont biztos, hogy az új fejlesztések által még vonzóbb lesz a jövőben a Samsung SSD-k kínálata.
