Shop menü

HBM-RIVÁLIST FEJLESZT AZ INTEL ÉS A SAIMEMORY – KÉSZÜL AZ ÜTŐKÉPESNEK ÍGÉRKEZŐ Z-ANGLE MEMORY

Az új memóriatípus az AI és HPC piacot veszi célba, ahol kétszer-háromszor nagyobb memóriakapacitást, illetve 40-50%-kal alacsonyabb fogyasztást ígér a jelenlegi HBM memóriachip-szendvicsekhez képest, és árazás terén is versenyképes lesz.
Víg Ferenc (J.o.k.e.r)
Víg Ferenc (J.o.k.e.r)
HBM-riválist fejleszt az Intel és a Saimemory – Készül az ütőképesnek ígérkező Z-Angle Memory

Az AI-láz miatt óriási mennyiségű DRAM és NAND Flash memóriachipre van szükség, a HBM gyártás esetenként e két memóriatípus gyártásának rovására is ment, ugyanis a gyártók a jövedelmezőbb memóriachip-szendvicseket részesítik előnyben, érthető módon. Úgy tűnik, a HBM hamarosan egy kellően ütőképes riválist kaphat a Z-Angle Memory (ZAM) formájában, ami iránt még nagyobb kereslet mutatkozhat, már ha a gyakorlatban is olyan ütőképes lesz az újdonság, mint papíron.

Galéria megnyitása

A Z-Angle Memory fejlesztését az Intel végzi, ebben a folyamatban a SoftBank leányvállalata, a Sainmemory is segíti, a felek pedig éppen a napokban írtak alá egy szándéknyilatkozatot, ami a közös fejlesztésről és a termékek értékesítéséről szól. Az AI és HPC piacra szánt Z-Angle Memory a HBM-hez hasonlóan egymásra rétegezett DRAM lapkákból áll, viszont sokkal magasabb memóriakapacitást és sokkal alacsonyabb fogyasztást biztosít, mint a jelenlegi HBM memóriachip-szendvicsek, ezáltal kifejezetten ígéretes alternatívának tűnik.

A Z-Angle Memory nevében a „Z-Angle” kifejezés a vertikális felépítésre, azaz az egymásra rétegezett DRAM lapkákra támaszkodó felépítésre utal, maguk a chipek pedig az Intel Next Generation DRAM Bonding (NGDB) technológia segítségével kapcsolódnak egymáshoz. Ennek a technológiának a fejelsztésében az Intel mellett az államilag támogatott Advanced Memory Technology Program keretén belül a Sandia, a Lawrence Livermore, illetve a Los Alamos nemzeti laboratóriumok is fontos szerepet vállalnak. A dolgok jelenlegi állása alapján az NGDB prototípusok tökéletesen működnek nyolc DRAM réteg ötvözésével.

Galéria megnyitása

A hírek szerint a Z-Angle Memory a Sainmemory céljai alapján kétszer vagy háromszor nagyobb kapacitást kínál majd, mint a jelenleg elérhető HBM memóriachip-szendvicsek, miközben 40-50%-kal alacsonyabb fogyasztás mellett működhet hozzájuk képest, és árazás terén is versenyképes lesz. Amennyiben ezek a tulajdonságok a kész, forgalomba kerülő termékeknél is tetten érhetőek, az forradalmasíthatja az AI és HPC piacon használt gyorsítók felépítését, illetve jelentősen növelheti a lehetőségeiket is.

A Sainmemory szerint az első konkrét prototípusok 2028 elejére készülhetnek el, míg a kereskedelmi forgalomba szánt memóriachip-szendvicsek érkezésére 2029-ben számíthatunk. A SoftBank a prototípus fázissal kapcsolatos munkák támogatására nagyjából 3 milliárd japán jent fektet be. Az Intel szerepe is fontos, e partnerkapcsolat révén visszatérhet a fejlett memóriatechnológiák szegmensébe, ahonnan régen kilépett.

Hírlevél feliratkozás
A feliratkozással elfogadom a Felhasználási feltételeket és az Adatvédelmi nyilatkozatot.

Neked ajánljuk

    Tesztek

      Kapcsolódó cikkek

      Vissza az oldal tetejére