A Samsung csapata még az FMS 2026 alkalmával engedett betekintést abba, milyen következő generációs memória-technológiákkal készülnek a nem is oly távoli jövőben, amelyek elsősorban az AI adatközpontok és az AI gyorsítók szegmensét veszik célba, de a 10. generációs V-NAND Flash chipekről is szó esett, amelyek BV-NAND név alatt debütálnak majd.
A vállalat két érdekes koncepcióval rukkolt elő, az egyik a zHBM, míg a másik a zNAND-O, amelyek célja az, hogy segítsenek az AI gyorsítók és az őket kiszolgáló rendszerek teljesítményének növelésében.
A zHBM egy speciális fejlesztés lesz, ami ezúttal nem az AI gyorsító közvetlen közelében, a lapka mellett, egy interposer rétegre integrálva foglal helyet, hanem közvetlenül az AI gyorsítók felett, vertikálisan integrálva. Ez a dizájn segít a késleltetés csökkentésében, hiszen a memória közelebb kerül az AI gyorsítóhoz, kevesebb utat kell megtenniük az adatoknak, ugyanakkor az adatátviteli sávszélesség növelésére és az energiahatékonyság fokozására is nagy figyelmet fordítanak a koncepció végleges formába öntésénél.
Ha minden a tervek szerint halad, akkor a zHBM a következő generációs HBM5-höz képest több mint tízszer nagyobb memóriasűrűséget kínálhat, miközben háromszor energiahatékonyabban működik és a hőellenállást több mint felével csökkenteni tudja. Az új fejlesztés segítségével maximalizálható a stabilitás a nagy memóriakapacitással és nagy memória-sávszélességgel dolgozó rendszereknél, ami kifejezetten fontos szempont. A zHBM lehetőséget ad arra is, hogy az ügyfelek saját, egyedi logikai áramköröket integráljanak a memóriachip-szendvics és az AI gyorsító között elhelyezkedő köztes lapkarétegre, ami újabb lehetőséget biztosít a teljesítmény és/vagy a memóriakapacitás növelésére.
A zNAND-O szintén egy fontos koncepciónak ígérkezik, ami a Samsung méltán elismert V-NAND technológiájára támaszkodik. A zNAND-O esetében négy vagy nyolc V-NAND lapkaréteget integrálnak egymásra, amelyekkel magas I/O teljesítmény és alacsony késleltetés érhető el, miközben a rendelkezésre álló hely kihasználása is magas hatékonysággal történik. Ez a fejlesztés elsősorban az Edge szegmens rendszereit veszi célba és abban segít, hogy a valós időben keletkező, esetenként kifejezetten nagy mennyiségben adatokat hatékonyan feldolgozhassa a rendszer az AI-ban rejlő lehetőségek kamatoztatása mellett.
A harmadik következő generációs memória-technológia a 10. generációs 3D V-NAND technológiát takarja és a BV-NAND nevet viseli. Ez a 400-nál is több cellarétegből álló fejlesztés gyorsulást hoz mind írási, mind pedig olvasási teljesítmény terén, valamint az I/O sebességet is növeli az előző generációs megoldásoknál tapasztalt szinthez képest. A TLC NAND Flash alapú technológia négyzetmilliméterenként 28 Gb-es kapacitással bír, ami ugyan picivel alacsonyabb annál, amit a Kioxia és a SanDisk által kifejlesztett BiCS10 NAND Flash kínál, cserébe viszont sokkal magasabb I/O sebesség elérésére képes, hiszen 4800 MT/s helyett immár 5600 MT/s bevetésére képes.
A fenti fejlesztések közül a zHBM és a zNAND-O várható érkezésével kapcsolatban még nincs konkrét információ, de erősen valószínű, hogy még több évnyi fejlesztőmunkára lesz szükség ahhoz, hogy kézzel fogható termékek fedélzetére kerülhessenek. A HBM4e memóriachip-szendvicsek ennél jóval hamarabb érezhetnek, első mintapéldányaikat már május óta szállítja a vállalat a kiválasztott partnereknek. Ebbe a kategóriába tartozik az LPDDR5X-PIM is, ami a dedikált gyorsító révén a memórián belül képes elvégezni bizonyos alapvető számítási feladatokat, ami segít az AI gyorsító teljesítményének növelésében, hiszen előre feldolgozott adatokat kaphat a lapka, miközben növekszik a rendszer energiahatékonysága és az adatmozgatás hatékonysága is. Az LPDDR5X-PIM hivatalos rajtjával kapcsolatban egyelőre nincs információ, de a technológia hamarabb érkezhet, mint a fentebb említett zHBM és zNAND-O.
