Shop menü

HAMAROSAN JÖHETNEK A 16 TB-OS M.2-ES SSD KÁRTYÁK, HÁLA A SAMSUNG ÚJ FEJLESZTÉSÉNEK

A 9. generációs 3D V-NAND Flash memóriacsaládot erősítő, QLC alapokra támaszkodó memóriachip nem kevesebb, mint 280 cellaréteggel rendelkezik, adatsűrűsége így 28,5 Gb/mm2, ami iparági rekord.
Víg Ferenc
Víg Ferenc
Hamarosan jöhetnek a 16 TB-os M.2-es SSD kártyák, hála a Samsung új fejlesztésének

A Samsung hamarosan bejelentheti legújabb 3D V-NAND sorozatú memóriachipjeit, amelyek a a 9. generációt erősítik és QLC NAND Flash alapokra támaszkodnak, vagyis cellánként 4-bit adatot képesek tárolni. A friss fejlesztés különlegessége, hogy 280 cellarétegből épül fel, ennek köszönhetően igencsak impresszív adatsűrűséggel bír, amelynek értéke 28,5 Gb/mm2. Ezzel az adatsűrűséggel a Samsung megoldása a jelenlegi felhozatal tekintetében abszolút első, ugyanis a legnagyobb adatsűrűséggel rendelkező, 232 cellarétegből álló YMTC QLC NAND Flash memóriachipekhez képest közel 50%-kal magasabb adatsűrűséget kínál.

Az új 3D V-NAND Flash memóriachipek a jelek szerint lassúnak sem nevezhetőek, hiszen míg az aktuális kínálatban található Samsung QLC NAND Flash chipek esetében 2,4 Gbps-os adatátviteli sebesség áll rendelkezésre, addig az érkező, 280 cellarétegből felépített QLC 3D V-NAND memórialapkák már 3,2 Gbps-os adatátviteli sávszélességet kínálnak. Az egyelőre rejtély, hogy ez a sebesség pontosan  mekkora tempót eredményez majd a konkrét SSD kártyáknál, a végső teljesítmény ugyanis sok tényezőtől függ.

A QLC NAND Flash alapú megoldások adatsűrűsége

Tulajdonság/ModellMicronSamsungKioxiaSK HynixYMTC
Cellarétegek száma 232 280 162 176 232
Adatsűrűség 19,5 Gb/mm2 28,5 Gb/mm2 13,86 Gb/mm2 14,4 Gb/mm2 20,62 Gb/mm2
Lapka kapacitása 1 Tb 1 Tb 1 Tb 1 Tb 1 Tb(?)

Azt is mindenképpen érdekes lesz megtapasztalni, mi történik, ha az írási gyorsítótár betelik. Ekkor a QLC NAND Flash alapú adattárolók igencsak belassulnak, nagyjából 100-300 MB/s közötti írási tempóra képesek. Az írási gyorsítótár általában pSLC, azaz SLC módba programozott QLC NAND tárhely formájában áll rendelkezésre, ami a teljes elérhető kapacitás maximum 25%-át teheti ki.

Amennyiben nemcsak az adatsűrűség, hanem a teljesítmény is elég jó lesz, a Samsung újdonságai alaposan átrajzolhatják az SSD piacot, ha idén megjelennek. Arra persze nem számíthatunk, hogy a PCI Express 5.0-s SSD-k szegmensében majd a csúcskategóriában indulnak versenybe a vásárlók kegyeiért, de a kereskedelem fő áramába és a belépőszintre szánt SSD-k szegmensében okozhatnak meglepetéseket. Az árazás is kedvező lehet, hiszen a masszív adatsűrűség-növekedés jóvoltából csökkenhet az 1 GB-nyi tárhelyre jutó költség, vagyis a QLC alapú 3D V-NAND Flash memóriachipeket használó SSD kártyák a piac legjobb termékei közé tartozhatnak majd, már ami a költséghatékonyságot illeti.

Elméletben arra is van lehetőség, hogy 8 TB-nál nagyobb adattároló kapacitással rendelkező SSD kártyák is készüljenek, kétoldalas kivitelben a 16 TB-os adattároló kapacitás elérése sem lehetetlen, míg egyoldalas kivitelben 8 TB-nyi adattároló kapacitás is összejöhet.

Galéria megnyitása

Az új Samsung QLC 3D V-NAND Flash memóriachipek köré épülő SSD kártyák rövidesen bemutatkozhatnak. A vállalat egyébként egyre nagyobb szerepet szánhat a QLC NAND Flash technológiának, ahogy a TLC NAND Flash alapú megoldások egyre inkább kezdik elérni teljesítőképességük határait. Hasonló történt anno az SLC és az MLC alapú megoldások esetében is, leváltották őket a TLC NAND Flash technológiára, ami biztosította a további fejlődést. A később érkező QLC NAND Flash memóriachipek a folyamatos fejlesztések hatására idővel sebesség terén is képesek lesznek felvenni a versenyt az éppen kifutó TLC NAND Flash alapú meghajtókkal, ami megteremti a lehetőségét annak, hogy QLC NAND Flash alapokra álljanak át a felsőkategóriás SSD-k is.

Neked ajánljuk

    Tesztek

      Kapcsolódó cikkek

      Vissza az oldal tetejére