A Samsung meglehetősen ambiciózusnak tűnik a memóriapiacon. A dél-koreai óriásvállalat az elkövetkező időszakban is szeretné megtartani technológiai erőfölényét, éppen ezért nem vágják vissza a tőkeberuházásra, illetve kutatásra és fejlesztésre fordítható költségvetést, valamint a gyártókapacitást sem csökkentik, pedig a rivális gyártók az aktuális piaci helyzet alapján már elkezdték behúzni a féket. Ezzel a gyakorlattal a vállalat a riválisai előtt szeretne maradni, és ez a jelek szerint sikerülhet is, hiszen a Samsungot nem érintette eddig sem olyan fájdalmasan a piac ciklikussága, mint a riválisokat, hála a több bevételi forrásnak.

Tervek a DRAM piacon

A DRAM piacon nagy előrelépés lesz, hogy bemutatkozik az ötödik generációs 10 nm-es osztályú gyártástechnológia, amit csak 1b néven emleget a vállalat. Ezzel a csíkszélességgel a következő év folyamán indulhat meg a tömegtermelés, így a köré épülő első memóriamodulok is a következő év folyamán válhatnak elérhetővé nagyobb mennyiségben. Ezzel egy időben természetesen a 10 nm alatti csíkszélességekkel kapcsolatos kutatások is folynak, ám azokon a szinteken már új mintázásra, új alapanyagokra, illetve új architektúra-dizájnokra lesz szükség, és a HKMG (High-K Metal Gate) technológia is szerves részét képezi majd a receptnek. A Samsung a DRAM piacon a riválisainak többségét messze megelőzi, azok ugyanis már 14 nm-es osztályú gyártástechnológiával készítik termékeiket. A vállalat hamarosan előrukkol a 32 Gb-es DDR5-ös memóriachipekkel, amelyek kétszer nagyobb kapacitással rendelkeznek a jelenlegi 16 Gb-es modellekhez képest, de a 24 Gb-es megoldásokat is felülmúlják 33%-kal. A mobilokba és az ultrabookokba 8,5 GHz-es LPDDR5X memóriachipeket fejlesztenek.

Már gyártják a GDDR7-es memórialapkákat

Természetesen a videokártyákra szánt GDDR memóriachipek fejlesztése is töretlenül zajlik, ezen a területen a GDDR7 lesz a következő nagy dobás, amelynek gyártása a hírek szerint már zajlik is. A GDDR7-es grafikus memórialapkák akár 36 GHz-es effektív órajelen is ketyeghetnek majd, ez pont duplája a GDDR6-os családban található 18 GHz-es megoldások effektív órajelének. A nagyobb adatátviteli sebesség jóvoltából természetesen az elérhető memória-sávszélesség is jelentősen növekszik, méghozzá úgy, hogy nincs szükség a jelenlegieknél bonyolultabb memóriabuszra, ami növelné a nyomtatott áramköri lap gyártásának költségét, illetve a videokártyák tervezését is bonyolítaná.

Egy 384-bites memória-adatsínnel rendelkező GPU esetében a GDDR7-es memóriachipekkel a 36 GHz-es órajel tartásával 1,728 TB/s körüli effektív memória-sávszélesség válik elérhetővé, ami elég nagy mozgástér a következő generációs videokártyák esetében, és ehhez drágábban gyártható nyomtatott áramköri lapok sem szükségesek. A 36 GHz-es GDDR7-es memóriachipek, amelyek várhatóan a GeForce RTX 50-es és az AMD RDNA 4-es videokártyák fedélzetén debütálhatnak, a 256-bites memória-adatsínnel szerelt videokártyáknál is komoly előrelépést hozhatnak, ugyanis ezen a terén áttörhető lesz velük az 1 TB/s-os sávszélesség-határ, ami nagy szó. Az persze már más kérdés, mennyibe kerülnek majd a leggyorsabb GDDR7-es memórialapkák, erre majd később kapunk választ.

A NAND Flash piacon is dübörögnek a fejlesztések

A Samsung a NAND Flash piacon is rendületlenül menetel tovább, ahol jelenleg megkérdőjelezhetetlenül vezető szerepet tölt be.  Itt már zajlik a 9. és 10. generációs 3D V-NAND Flash memóriachipek fejlesztése, illetve a prototípusok készítése is, amelyek még több cellaréteggel rendelkeznek majd, így az adatsűrűség is növekedni fog a jelenlegihez képest. Kereskedelmi forgalomban most még csak a 176 cellarétegből álló 7. generációs 3D V-NAND memóriachipekkel találkozhatunk, a 8. generáció képviselői pedig, amelyek 230 cellarétegből állhatnak, várhatóan még az év vége előtt bemutatkozhatnak. Utóbbiak 1 Tb-es kapacitással, TLC alapokon érkezhetnek, 2024-ben pedig már a kilencedik generációs 3D V-NAND lapkák is megjelennek majd. A 3D V-NAND vonat persze a következő években is tovább robog, 2030-ra már 1000 cellarétegből álló memórialapkákat is gyárthat a vállalat, már amennyiben minden a tervek szerint halad. Ezzel együtt a QLC NAND Flash memória-technológia fejlesztése is folyik, amelynél az a cél, hogy tovább növeljék a teljesítményt, valamint az adatsűrűséget is.

A fentiekkel együtt természetesen egyéb memóriatípusok fejlesztése is zajlik, így például a CXL memóriák, az AXDIMM modulok, valamint a HBM-PIM memóriaszendvicsek is komoly figyelmet kapnak a vállalat berkein belül.

A riválisok már a féket tapossák

A Samsung gyakorlata merőben más, mint a riválisoké, ugyanis a Micron például éppen nemrégiben jelentette be, hogy a memóriapiacon tapasztalható precedens nélküli túltermelés miatt kénytelenek csökkenteni a tőkeberuházásaikat a 2023-as pénzügyi év folyamán, ennek mértéke a 30%-ot is meghaladja majd, ami 8 milliárd amerikai dollárnak megfelelő összeget jelent. A vállalat az üzemegységek felszereléseinek beszerzését is csökkenti, itt 50%-os visszaesésre lehet számítani – ennyivel kevesebb pénzt szánnak az új eszközök beszerzésére.

A Micron mellett a Kioxia is csökkentésben gondolkodik, ebben az esetben 30%-kal kevesebb szilícium-ostyát gyártanak majd annak érdekében, hogy a felhalmozott raktárkészletek végre elkezdjenek apadni.

A Samsung vezetése pont a jelenlegi helyzet miatt döntött úgy, nem vezetnek be korlátozásokat, inkább továbbra is a „gázpedálon állva” haladnak az úton, ettől ugyanis azt remélik, tovább nőhet a technológiai szakadék köztük és a rivális vállalatok között, ami hosszabb távon kifizetődő lehet.