A Samsung az elkövetkező évek folyamán számos új, izgalmas gyártástechnológiát mutathat be, amelyek között egyebek mellett az 1.4 nm-es csíkszélességet alkalmazó SF1.4 is jelen lesz. Ennél a gyártástechnológiánál a GAA (Gate-All-Around) szerkezetű tranzisztorok esetében már nem három, hanem négy nanolapkát használhatnak a kapuelektródánál, ami több szempontból is komoly előnyöket tartogat: mind a teljesítmény, mind pedig a fogyasztás pozitív irányban változhat. Mielőtt azonban még csatasorba állhatna az SF1.4-es gyártástechnológia, számos egyéb csíkszélességet is felvonultat a dél-koreai gyártó.
Érdekesség, hogy a Samsung elsőként vezetett be olyan gyártástechnológiát a piacon, amelynél GAA (Gate-All-Around) típusú tranzisztorokat használtak, ez az SF3E gyártástechnológia volt, ami 2022 közepére készült el. Ezzel a csíkszélességgel első körben csak egyszerűbb, kisebb chipeket gyártottak annak érdekében, hogy a kihozatali arány is kedvező lehessen, ennek megfelelően egyebek mellett kriptovaluta-bányászatban használt chipek is készültek vele. Az SF3E által kitaposott ösvényre érkezik a következő év folyamán az SF3-as gyártástechnológia, ami ugyanúgy 3 nm-es csíkszélességnek tekinthető, de a korai SF3E-vel ellentétben, amit csak bizonyos chipek gyártásához használhattak, az SF3 már sokkal szélesebb körben válhat elérhetővé, azaz többféle chiphez is használhatják.
Még egy évvel később, 2025 folyamán már a teljesítményre hangolt SF3P gyártástechnológia is elérhetővé válik, ezzel akár adatközpontokba szánt processzorok, valamint videokártyákra és gyorsítókártyákra szánt grafikus processzorok is készülhetnek a tervek alapján. A 3 nm-es osztályú gyártástechnológiák ezzel együtt a mobilokba fejlesztett SoC egységek piacán is szerephez juthatnak.
2025-ben egy másik fontos csíkszélesség is debütál, ami nem más, mint a 2 nm-es osztályú SF2. Ez a gyártástechnológia nemcsak azért lesz érdekes, mert GAA típusú tranzisztorokat használ, hanem azért is, mert a Backside Power Delivery technológiát is beveti. A hátoldali tápellátás jóvoltából növelhető lesz a tranzisztorsűrűség, valamint a tápellátás is hatékonyabban oldható meg, ami az energiahatékonyságra is jótékony hatást gyakorolhat.
Ezzel el is érkeztünk a 2027-es esztendőhöz, amikor egy újabb fontos mérföldkő következhet, ez hasonlóan nagy jelentőséggel bír majd, mint a GAA alapú SF3E gyártástechnológia bejelentése, utóbbival ugyanis minden riválist megelőzött a gyártó, már ami a GAA struktúra alkalmazását illeti. A következő mérföldkő az SF1.4-es gyártástechnológia lesz, amelynél a nanolapkák számát 3-ról 4-re növelik. Azzal, hogy az egyes tranzisztorok több nanolapkát alkalmaznak, javulni fog a teljesítményük, valamint a vezérlőáram nagysága is emelkedni fog. A több nanolapka jóvoltából nagyobb áram folyhat keresztül a tranzisztoron, ami javítja a kapcsolással kapcsolatos képességeket, valamint a működési sebességet is. A több nanolapka ezzel egy időben azt is lehetővé teszi, hogy az áram folyását jobban vezéreljék, valamint segít a szivárgási áram mértékének csökkentésében is, utóbbi pedig a fogyasztás csökkenését eredményezi, és kevésbé melegszik a dizájn, javul az energiahatékonyság.
A tervek szerint a rivális Intel és a TSMC tervei között szerepel, hogy a GAA struktúrát használó tranzisztorokat a 2 nm-es osztályú csíkszélességeiknél, azaz a 20A és az N2 esetében vetik be elsőként, ezek sorrendben 2024-ben és 2025-ben debütálhatnak. Addigra, mire az említett vállalatok bevezetik a nanolapkás tranzisztor-dizájnt, a Samsung háza táján már jelentős mennyiségű tapasztalat gyűlik össze vele kapcsolatban, ami összességében rendkívül hasznos lehet, és optimális esetben előnyökhöz is juttathatja a dél-koreai vállalatot.
