Úgy látszik, beindult az áradat: az Intel-STM Numonyx BV után most a Samsung is beharangozta a saját - és rögtön többchipes - fázisváltó memóriájának (PRAM) érkezését. Ezt kifejezetten mobil eszközökhöz tervezték, és úgy tűnik, még ebben a negyedévben fel is bukkanhatnak a piacon (ideje is volt, miután a prototípusát már 2006-ban bemutatták, és eredetileg 2008-ra ígérték az érkezését).

Kapacitásukat tekintve négyszer többet bírnak, mint a Numonyx-féle 16 MB-os Omneók (tehát 64 MB-ot), és míg azok 90 nm-es gyártási eljárással készültek, addig ezek már 65 nm-essel, és visszafelé kompatibilisek a 40 nm-es, hagyományos NOR flash memóriákkal, amelyeknek a leváltására szánják őket. A sorozatgyártást még tavaly szeptemberben kezdték meg.

A PRAM-ot nem véletlenül hirdetik a NOR flash memóriák utódjaként; azoknál ugyanis mintegy tízszer több újraírási ciklust bír el, és sokkal gyorsabb is, bár a gyorsaság mértéke egyelőre pontosan még nem ismert, mivel 3x-os, 30x-os és 300x-os eltérésről is esett már szó különböző forrásokban, így ezt csak a tényleges gyakorlat igazolhatja majd, amint megérkeznek. Árszintről sajnos továbbra sincs információ.