A TSMC nemrégiben egy rendkívül fontos mérföldkőhöz ért, a terveknek megfelelően tömegtermelésbe állhatott az N2 node, amelynek fejlesztésével kapcsán már többször is hangoztatták, minden a terveknek megfelelően alakul, és a friss információk alapján a nagy volumenű gyártást is sikerült még az év negyedik negyedévében megindítani, ahogy az a korábbi útiterven is szerepelt. Erről a jelentős eseményről külön közleményben be sem számolt a TSMC vezetése, csak az N2-vel kapcsolatos hivatalos weboldal említi, hogy a friss csíkszélesség az év negyedik negyedévében végül tömegtermelésbe állhatott.
Az N2-es gyártástechnológia az első a TSMC háza táján, ami már GAA (Gate-all-around) típusú tranzisztorokat használhat, ahol a nanolapkákból formált csatornákat a kapuelektróda teljesen körbe öleli, ezáltal javul az elektrostatikus vezérlés, csökken a szivárgási áram, valamint segít abban is, hogy a tranzisztorok kisebbek, kompaktabbak legyenek, ezáltal segít a tranzisztorsűrűség növelésében. A méretcsökkenés a tranzisztorok energiahatékonyságára és teljesítményér sem gyakorol negatív hatást. Az N2 esetében a TSMC korábbi ígérete szerint az N3E node-hoz képest azonos fogyasztás és komplexitás mellett 10-15%-os teljesítménynövekedést hoz, míg azonos teljesítmény és komplexitás mellett 25-30%-kal alacsonyabb fogyasztás elérését teszi lehetővé, a tranzisztorsűrűség pedig 15%-kal magasabb lehet a vegyes chipek esetében, amelyek SRAM-ot, logikai komponenseket, illetve analóg komponenseket is tartalmaznak. A csak és kizárólag logikai komponensekből álló chipeknél a tranzisztor-sűrűség akár 20%-kal is növekedhet az N3E-hez képest.
Az új tranzisztorok mellett új kondenzátorokat is bevetnek a tápellátásért felelős hálózatban: az SHDMIM kondenzátorok helyére SHPMIM (Super-High Performance Metal Insulator Metal) példányok kerülnek, amelyek 50%-kal kisebb ellenállással rendelkeznek (Rs és Rc téren), valamint nagyobb kapacitanciával dolgozhatnak, ami összességében segít a tápellátás stabilitásának, energiahatékonyságának, illetve teljesítményének növelésében.
Az N2 esetében a tömegtermelés felfuttatását újonnan épített üzemekben kezdik meg, ami nem egy egyszerű feladat, ráadásul nemcsak az okostelefonokba szánt chipeket, hanem a HPC piacra szánt megoldásokat is termelni fogják az új gyártósorok. Utóbbi azért meglepő, mert jellemzően az egyszerűbb mobil dizájnokkal és a kisebb chipekkel szokták felfuttatni a tömegtermelést, a bonyolultabb dizájnok gyártása csak később szokott elkezdődni.
Az N2 node először a Kaohsiung területén található üzemben jut szerephez, pedig korábban arról elehetett hallani, hogy elsőként a Hsinchu ipartelepen felhúzott üzem áll tömegtermelésbe, ami pont amellett a globális kutató-fejlesztő központ mellett helyezkedik el, ahol az N2 node fejlesztése zajlott. Először tehát a Fab 22 ontja majd magából az új chipeket, de nemsokára a Fab 20 is beállhat a sorba, azaz egyszerre két üzemben próbálják majd felfuttatni a tömegtermelést, ami azt is mutatja, mennyire masszív kereslet mutatkozik az új node iránt.
Jövőre a teljesítményre kihegyezett N2P is csatasorba áll, majd az A16 is szerephez jut, ami az N2P speciális, Backside Power Delivery technológiával ellátott változata lesz.
