A TSMC vetetése egy rendkívül érdekes és ígéretes stratégiát eszelt ki, amelynek értelmében a Hsinchiu Science Park területén lévő, a termelésből már kivezetett FAB 3-as üzemet új célokra használják fel. Ez az üzemegység eredetileg 8 hüvelykes szilícium-ostyákat gyártott, ám a dolgok jelenlegi állás szerint már nem vesz részt a klasszikus termelésben, így teljesen új szerepkörben érvényesülhet a nem is oly távoli jövőben: az EUV litográfiában használatos speciális védőmembránokat gyárthatja, amelyekre a kihozatali arány javításához van szükség.

Ezek a védőmembránok hártya vastagságú, áttetsző anyagból készülnek és nélkülözhetetlenek a litográfia során annak érdekében, hogy az éppen mintázott szilícium-ostya felületére ne kerüljenek szennyeződések, amelyek ronthatnák a kihozatali arány alakulását, hiszen problémát okozhatnak a levilágításnál, ami egy adott lapkarész működésképtelenségét eredményezheti. A TSMC a FAB 3 területén ilyen védőmembránokat gyárthat majd, méghozzá azért, mert így költséghatékonyabban és eredményesebben biztosíthatja a gyártás során nélkülözhetetlen összetevőket, amelyek egyébként rendkívül sokba kerülnek.

A speciális membránok esetében fontos szempont, hogy kibírják az EUV litográfiai rendszerekben használt 400 W-os fényforrások okozta terhelést, amelyek kis területen akár 1000 Celsius fokos hőmérsékletet is produkálhatnak a maszk esetében. Ezeknek a membránoknak ellen kell állniuk az EUV sugárzásnak, a hőstressznek, közben pedig csak minimális mértékben torzíthatják a fény hullámhosszát, illetve optikai tekintetben is tökéletesen áttetszőnek kell lenniük, minimális fényelnyeléssel kell dolgozniuk.

A fenti extrém igénybevétel miatt nem meglepő, hogy ezeket a védőrétegeket viszonylag sűrűn kell cserélni, 3-4 naponta újabb példányt kell alkalmazni annak érdekében, hogy a pozitív hatások megmaradjanak, ellenkező esetben maga a védőmembrán okozhat problémákat. Azzal, hogy ezeket a speciális kiegészítőket saját maga gyártaná a TSMC, lejjebb viheti az egy egységre jutó költségeket, optimalizálhatja a membránok felépítését, hogy azok jobban passzoljanak saját igényeihez, valamint azt is biztosíthatja, hogy a kedvezőbb költségek révén gyakrabban cserélhessék ezeket a komponenseket, ami jótékony hatást gyakorolhat a kihozatali arányra.

A TSMC ezeket a termékeket saját maga fejleszthetné és gyárthatná a fentebb említett gyáregységen belül, valamint anyagkutatásokat is végezhetnének. Anyagfelhasználás terén a szén-nanocső alapú membrán tűnik a legjobb választásnak, azzal ugyanis eléggé ellenálló membránokat lehet létrehozni, miközben az optikai paraméterek is kedvezően alakulhatnak.

A TSMC az új megoldásokat az N2 és az A16 gyártástechnológia esetén egyaránt tesztelni fogja, ahol a jobb teljesítményű védőmembránok jelentősen növelhetik a kihozatali arányt, ami biztosíthatja a vállalat számára, hogy továbbra is piacvezető lehessen a csúcstechnológiás gyártástechnológiák szegmensében.

Érdekesség, hogy míg a DUV litográfia esetében egy-egy ilyen membrán 720 dollár körüli összegbe került, addig az EUV litográfia jelentette magasabb igénybevételnek megfelelő membránok már 10 000 dollár körüli összegbe kerülnek. A házon belüli gyártással akár jelentősebb mennyiségű költséget is le lehet faragni hosszabb távon, hiszen nemcsak költséghatékonyabban gyárthatóak az aktuális igényeknek megfelelő membránok, de ezek jobb teljesítményt is nyújthatnak, növelhetik a kihozatali arányt, azaz bőségesen megtérülhet a fejlesztésükre és gyártásukra fordított tőkeberuházás.