Az Intelnél egész komoly tempóban zajlik az ASML legmodernebb félvezetőipari gyártóeszközeinek kiismerése, ami kulcsfontosságú előnyt jelenthet hosszabb távon, hiszen a nagyobb félvezetőipari gyártók közül jelenleg csak az Intel szakemberei tesztelik a High-NA EUV alapú gépeket. A dolgok jelenlegi állásáról Steve Carson, a vállalat egyik mérnöke tett említést a napokban az SPIE Advanced Litography + Patterning konferencia alkalmával, ahol több érdekesség is elhangzott.

A gyártó jelenleg az Oregon államban, azon belül is Hillsboro térségében található D1-es fejlesztő üzemében használja az ASML aktuális High-NA EUV eszközeit, szám szerint kettőt, amelyek a Twinscan EXE:5000 típusjelzést viselik, és a korábbi hírek szerint darabonként 350 millió euróba kerülnek. Ezek a gépek kulcsfontosságú szerepet töltenek majd be a következő generációs gyártástechnológia, a 14A esetében, ami 1,4 nm-es csíkszélességgel készítheti a különböző chipeket.

A szóban forgó gépekkel eddig már több tízezer szilícium-ostyát gyártottak le, ami összességében nem tűnik soknak, főleg a gyártásban lévő termékeknél használt kapacitáshoz képest, ám ebben az esetben csak kutatásra és fejlesztésre használják az eszközöket. A vállalat azzal, hogy elsőként ismeri ki a High-NA EUV alapú gyártóeszközöket, és időben hozzáigazítja a különböző technológiákat, kémiai anyagokat, illetve eljárásokat, várhatóan jókora előnyre tehet szert riválisaival szemben. Ez is mutatja, mennyire szeretnének ismét az élre törni gyártástechnológiák terén, és mennyire szeretnének minél több, minél nagyobb megrendelést bezsebelni az egyes partnerektől.

Az ASML Twinscan EXE:5000 típusú eszközei egyelőre még szintén fejlesztés alatt állnak, a félvezetőipari bérgyártóktól érkező visszajelzések alapján módosítják őket, ha szükséges, ami az Intel szemszögéből nézve fontos előny lehet a riválisokhoz képest. Ezek az eszközök egyelőre csak kísérleti termelésre alkalmasak, tömegtermelésre nem, ám az Intel mérnökei szerint a Twinscan EXE:5000 már most is sokkal megbízhatóbb, mint a korábbi modellek. Azt sajnos nem árulta el, pontosan mely modellre vagy modellekre gondolt összehasonlítási alapként, ugyanis 2013 folyamán a Twinscan NXE:3300 segítségével már végezhettek kísérleti termelést EUV alapon, az az eszköz ugyanúgy a kutatást és a fejlesztést szolgálta, mint a mostani Twinscan EXE:5000; de az is lehet, a termelésben használt Twinscan NXE:3600D vagy az NXE:3800E képezte az összehasonlítás alapját, amelyek tömegtermelésben használatosak manapság.

Akárhogy is, a korábbi Low-NA EUV rendszerekhez képest mindenképpen nagy előrelépést hoznak a High-NA EUV alapú eszközök, ugyanis jelentős mértékben növelik a felbontást, ami egyetlen levilágítás alkalmával elérhető. Míg ez az érték a Low-NA EUV eszközöknél 13,5 milliméter volt, illetve most is annyi a tömegtermelésben használt modelleknél, addig a bevezetés előtt álló High-NA EUV gépekkel már 8 nm-es felbontás is elérhető egyetlen levilágítással, ami egyszerűsíti a gyártás folyamatát. Noha a Low-NA EUV gépekkel is elérhető a 8 nm-es felbontás, ehhez viszont Double Patterning technológiát kell használni, azaz két levilágításra van szükség, ami bonyolultabbá és hosszabbá teszi a gyártási folyamatot, valamint a kihozatali arány alakulására is negatívan hat. A High-NA EUV eszközök tehát ezen a téren jókora előrelépés hoznak, cserébe viszont feleakkora levilágítható területtel dolgoznak, ami igazodást igényel a chiptervezők részéről.

Az Intelnél tehát az elsők között szeretnék bevezetni a High-NA EUV rendszerek használatát, míg a TSMC szakemberei ettől eltérő stratégiát alkalmaznak, óvatosabban közelítik meg a kérdést. A tajvani félvezetőipari bérgyártó az A16-os gyártástechnológia esetében biztosan nem használja a High-NA EUV technológiát, az A14 esetében azonban egyelőre még zajlott a kutatással és fejlesztéssel kapcsolatos munka tavaly áprilisban, amikor a téma szóba került, azóta viszont nem érkezett frissebb információ a témában.