Az Intel 18A gyártástechnológiájával kapcsolatban korábban sok negatív hír érkezet, amelyek arról számoltak be, hogy a kihozatali arány finoman szólva sem a legjobb, ám az utóbbi időszakban javulni kezdett a helyzet, sőt, nemrégiben már a kísérleti termelés is megindult. A tervek szerint a 18A gyártástechnológia még idén tömegtermelésbe állhat, egyebek mellett az idén megjelenő Panther Lake processzorok is köré épülnek majd. Noha a kihozatali arány egy rendkívül fontos mérőszám, hiszen ettől függ, mennyi hibátlan, illetve használható chip készül egy-egy 300 milliméteres szilíciumostya segítségével, egyéb szempontok is kifejezetten fontosak lehetnek, például az, hogy milyen teljesítményt nyújthatnak az új node köré épülő chipek.

Ezzel kapcsolatban a tajvani 3C News munkatásai osztottak meg némi információt a minap, ami a TechInsight munkatársainak kutatásaira és számításaira támaszkodik. A TechInsights jellemzően megbízható és pontos adatokat közöl, ennek ellenére érdemes szem előtt tartani, hogy nem hivatalos forrásból származó információkról van szó, vagyis, a kép nem minden esetben tűpontos.

A TechInsights saját skálája alapján az Intel 18A gyártástechnológiája 2,53 pontos teljesítményt ért el mindent összegezve, míg ugyanazon szempontok alapján a Samsung SF2 gyártástechnológiája 2,19 pontot, a TSMC N2 csíkszélessége pedig 2,27 pontot kapott. Ezek alapján a 2 nm-es osztályú csíkszélességek közül az Intel megoldása kínálja a legnagyobb teljesítményt, ami több okra vezethető vissza.

Ez a csíkszélesség elsőként veti be a BSPDN (Backside Power Delivery Network) technológiát, ami újszerű tápellátást biztosít a tranzisztorok számára. Az új architektúra révén hatékonyabb a tranzisztorok elhelyezése és a komponensek helykihasználása, lényegében 5-10% közötti előrelépés látható ezeken a területeken. Ezzel egy időben csökken az összekötők ellenállása, illetve az azonos fogyasztás mellett elérhető teljesítmény is növekszik, méghozzá 4%-kal, hála annak, hogy az újfajta táp-architektúra jelentős csökkenést biztosít belső ellenállás terén. Az előző generációt képviselő Intel 3 gyártástechnológiához képest az Intel 18A alkalmazásával ugyanakkora területen 30%-kal több tranzisztor helyezhető el, a teljesítmény/fogyasztás hányados pedig 15%-kal javulhat.

Az SRAM cellák sűrűsége szintén kedvezően alakul, ugyanis az Intel 3 gyártástechnológiánál érvényben lévő 0,03 négyzetmikrométeres szintről 0,023 négyzetmikrométerre csökkent a méret, míg a nagysűrűségű cellák mérete 0,021 négyzetmikrométerre csökkent, azaz sorrendben 0,77-es és 088-as skálázódási tényezőt sikerült elérni, ami remekül bizonyítja, hogy az SRAM cellák skálázódása nem stagnál, hanem továbbra is folytatódik. A PowerVia révén sikerült a feszültségesésből és az interferenciából származó negatív hatásokat is mérsékelni azáltal, hogy hátoldali tápellátást használnak, nem előoldalit. Az újítások hatására 38,1 Mbit/négyzetmilliméteres makró bitsűrűséget sikerült elérni, amellyel az Intel 18A a TSMC N2 szintjén helyezkedik el, ez pedig igen nagy szó.

A 18A gyártástechnológia jelenleg kísérleti termelésben van, ami azt jelenti, hogy ez az utolsó fázis, mielőtt a tömegtermelést beindítanák vele. Az éles teszt keretén belül szükség esetén további optimalizációkat hajthatnak végre annak érdekében, hogy fel lehessen skálázni a termelést