AZ AMD A KÖVETKEZŐ GENERÁCIÓS I/O LAPKÁIT A SAMSUNGNÁL GYÁRTATHATJA LE, NEM A TSMC-NÉL

Az újdonságok a TSMC N4P node-ja helyett a Samsung 4LPP node-ján készülhetnek, már amennyiben a kihozatali arány megfelel az AMD igényeinek.
Víg Ferenc (J.o.k.e.r)
Víg Ferenc (J.o.k.e.r)
2025. febr. 17. 8:48
Az AMD a következő generációs I/O lapkáit a Samsungnál gyártathatja le, nem a TSMC-nél

Az AMD a legfrissebb iparági információk alapján érdekes döntésre szánta el magát, már ami a következő generációs szerverpiaci (sIOD) és klienspiaci (cIOD) I/O lapkák gyártását illeti. A vállalat a ZEN 6 architektúra köré épülő CCD lapkákat, amelyek a ZEN 6-os processzormagokat tartalmazzák majd, a TSMC 3 nm-es osztályú csíkszélességeinek valamelyikével gyártatja le, viszont az I/O lapka esetében már nem a TSMC N4P csíkszélességét választja, ahogy azt a korábbi pletykák állították, hanem a Samsung 4LPP gyártástechnológiáját, ami elsőre meglepőnek tűnhet.

A TSMC N4P node-ja jelenleg elég sokféle AMD termék gyártásáért felel, ugyanis ezt a csíkszélességet használja a Strix Point mobil APU, illetve a ZEN 5-ös processzormagokat tartalmazó CCD lapkák is ezzel készülnek, utóbbiak pedig az asztali számos RYZEN és EPYC processzor alapját képezik.. A következő generációs I/O lapkák esetében viszont már a Samsung 4LPP gyártástechnológiája juthat szerephez, ami az SF4 nevet viseli. Maga az I/O lapka tartalmazza a processzormagokon kívüli fontos komponenseket, vagyis a klasszikus északi híd összetevőit, azaz a memóriavezérlőt, a PCIe vezérlőt, az Infinity Fabric vezérlőt, valamint egyéb dolgokat is, azaz kifejezetten fontos komponensről van szó.

Az SF4 gyártástechnológiát a Samsung 2022 óta használja tömegtermelésben, és a lenti táblázat alapján eléggé közel helyezkedik el a TSMC N4P csíkszélességéhez, már ami az általános tulajdonságait illeti. Az SF4 tranzisztorsűrűség terén a TSMC N5-ös csíkszélességével van egy szinten, amiből anno az N4P-t kifejlesztették. A TSMC N6 gyártástechnológiájához képest, amelyen a jelenlegi cIOD és sIOD lapkák készülnek, látványos előrelépést kínál tranzisztorsűrűség, illetve egyéb tulajdonságok terén is, azaz jó választásnak tűnik, már amennyiben a kihozatali arány is megfelelően alakul.

Az új node bevetésével az I/O lapka mérete csökkenhet, számos új funkcióval bővíthetik, így egyebek mellett frissülhet a memóriavezérlő is, ezáltal magasabb DDR5-ös memória-órajelek elérésére nyílik mód, valamint az új generációs memóriamodulok támogatása is bekerülhet a kalapba, sok egyéb mellett.

Hogy miért pont a Samsung SF4 gyártástechnológiájára esett a választás? Alighanem több lábon szeretne állni a gyártó, valamint azzal, hogy az I/O lapkákat más félvezetőipari bérgyártóval készítteti el, a többi teremékének marad elég gyártókapacitás a TSMC-nél ahhoz, hogy elegendő mennyiségben kerülhessenek forgalomba.

Hírlevél feliratkozás
A feliratkozással elfogadom a Felhasználási feltételeket és az Adatvédelmi nyilatkozatot.

20 hozzászólás

A komment írásához előbb jelentkezz be!
thedeveloper
thedeveloper
2025. febr. 17. 22:10
#4

Ha igaz a hír, akkor ez egy rossz hír. :/
Az I/O die-on ideje lenne (lett volna) fejleszteni, hogy kevesebbet fogyasszon és hogy több PCI-E lane-t tudjon adni.
A Samsung chipek viszont a melegdésükről híresek. Remélem, hogy nincs összefüggés a most - állítólag - választott gyártástechnológia és a melegedő Samsung SoC-ok között.

Szóval értem a több lábon állást, de még ha a magokon fejlesztenek is majd, egy rosszabb I/O die alkalmatlanná teheti az új processzorokat olyan helyeken, ahol számít a fogyasztás és a hőtermelés.

Dragon3k
Dragon3k
2025. febr. 19. 17:32

@thedeveloper az sem tud segíteni, mert a cpu gen5 x4 sávot biztosít a chipset felé, ebből van megoldva általában 2 m2 foglalat gen4 x4-gyel, ami ha használva van már ez ki tudja használni a teljes sávszélt, mellette ott a sata, usb (az új széria esetében az usb4, lan, wifi, maradék pci foglalatok, ha vannak az m2-k mellett.

Wizzard
Wizzard
2025. febr. 17. 15:07
#3

És most jöjjön PunchAbu 16 oldalnyi magyarázata, miért is nem rosszabb a samu 4LPP jelen esetben, ellenben ha az intel vagy nvidia gyártatna rajta,  16 oldalt olvashatnánk a jóval gyengébb samu gyártástechnológiáról, ami majd megpecsételi a nem amd termék jövőjét. 

Szerintem nem maradt ki semmi. XD

Wizzard
Wizzard
2025. febr. 17. 18:38

@GeriBátyó

"A legérdekesebb hír talán az új generációs I/O dies. Az AMD ezeket a 4 nm-es csomópontra építi, ami jelentős előrelépés a 6 nm-es csomóponthoz képest, amelyre a jelenlegi I/O dimenziói épülnek. A kliens oldalon a 4 nm lehetővé teszi az AMD számára, hogy frissített iGPU-t adjon az új cIOD-nak, valószínűleg egy újabb grafikus architektúrán, például az RDNA 3.5-ön. Lehetőséget ad az AMD-nek egy NPU integrálására is. A vállalat emellett frissítheti kulcsfontosságú I/O összetevőit, például a DDR5 memóriavezérlőket, hogy támogassa a CUDIMM-ek által feloldott nagyobb memóriasebességet. Nem jósolunk semmilyen frissítést a PCIe fronton, mivel az AMD várhatóan a Socket AM5-tel folytatja, ami meghatározza, hogy a cIOD 28 PCIe Gen 5 sávot ad ki. A processzorból kiadott USB interfész legjobb esetben is frissíthető USB4-re egy on-die host vezérlőn keresztül. A szerver oldalon az új generációs sIOD meg fogja hozni az órameghajtók által lehetővé tett DDR5 memóriasebesség nagyon szükséges növelését."

Legérdekesebb, kulcsfontosságú.... hát igen, láthatóan mások (biztos buták) is úgy gondolják mennyire mindegy annak az I/O die-nak. XD

https://www.techpowerup.com/331230/amd-to-build-zen-6-ccd-on-tsmc-3nm-process-next-gen-ciod-and-siod-on-4nm

csapi26
csapi26
2025. febr. 17. 14:59
#2

helyeshelyes no konkurencia

GeriBátyó
GeriBátyó
2025. febr. 17. 12:10
#1

Az I/O die nem skálázódik jól, szóval szinte mindegy, hogy min gyártják, de a TSMC 4 nm-én baromi sok cuccot gyártanak és fognak gyártani.

Busterftw
Busterftw
2025. febr. 26. 12:39

@punchman
Osszessegeben, az eddig node-k alapjan, a Samsung node-ok rosszabb perf/watt arany tudtak felmutatni mint a TSMC.

Vissza az oldal tetejére