A GlobalFoundries szakemberei nagyon jól haladnak a 7 nm-es csíkszélességre támaszkodó gyártástechnológia fejlesztésével, ennek alapjait viszont nem ők, hanem még az IBM mérnökei fektették le. A 7 nm-es FinFET gyártástechnológia egyébként nagyon bíztató tulajdonságokkal rendelkezik, amelyek arra ösztönözték a vállalat illetékeseit, hogy a 10 nm-es lépcsőt kihagyva 14 nm-ről egyenesen 7 nm-re váltson a cég.
A 10 nm-es lépcső egyébként nem kínált volna akkora előnyöket, mint amennyibe a váltás került volna, a 7 nm-es FinFET gyártástechnológia viszont 30%-os teljesítménynövekedéssel kecsegtet napjaink 16/14 nm-es FinFET gyártástechnológiáihoz képest, ez pedig abszolút nem elhanyagolható előny. Ezzel együtt az új gyártástechnológiával azonos területen kétszer több tranzisztor elhelyezésére van mód, mint ha a GlobalFoundries jelenlegi, 14 nm-es FinFET gyártástechnológiáját vetnék be, ami újabb lehetőségek előtt nyitja meg a kapukat.
Hab a tortán, hogy a 7 nm-es csíkszélesség bevetése során a 14 nm-es csíkszélességgel dolgozó gyártósorok egyes komponenseit újra fel lehet használni, ami segít az átállással kapcsolatos költségek csökkentésében, valamint az átállás folyamatát is felgyorsítja. Fontos, hogy a 7 nm-es FinFET gyártástechnológia a kulcsfontosságú szinteken továbbra is kompatibilis marad az EUV alapú litográfiával, ami egy újabb pozitív tulajdonság.
A 7 nm-es gyártástechnológiát a New York államban található Fab 8-as üzemben alkalmazzák először, ahol egyébként már készülnek is különböző tesztchipek. A tervek szerint a megrendelők 2017 második felétől kezdve férhetnek majd hozzá a gyártósorokhoz, a kísérleti termelés pedig 2018 elején indulhat meg – amennyiben továbbra is minden ilyen jól halad.
