A Samsung mérnökei egy rendkívül jelentős mérföldkőhöz érkeztek a minap, számolt be róla az ET News csapata, akik szerint a dél-koreai vállalatnál sikeresen elkészítették az első 900 aktív cellarétegből álló 3D V-NAND Flash memóriachipet, ami több szempontból is komoly előrelépésnek tekinthető. A 900 aktív cellaréteg iparági elsőségnek minősül, ugyanis a jelenleg sorozatgyártásban lévő 3D NAND Flash chipek szegmensében az SK hynix megoldása a csúcstartó a maga 321 aktív cellarétegével, igaz, azt azért hozzá kell tenni, hogy a Samsung fejlesztése még nincs sorozatgyártásban.
A dél-koreai vállalat korábban azt tűzte ki célul, hogy 2030-ra már 1000 aktív cellaréteggel rendelkező 3D V-NAND Flash memóriachipeket kínálnak majd a piacon, ami egy rendkívül ambiciózus tervnek tűnhetett eleinte, a friss fejlesztés révén viszont már-már karnyújtásnyi távolságba került. A 900 aktív cellaréteget természetesen nem egy monolitikus lapka révén érik el, az ugyanis a jelenlegi technológiai fejlettség mellett megvalósíthatatlanul bonyolult feladat lenne. Helyette a Hybrid-Bonding technológiát, azon belül is a vállalat által kifejlesztett Cell Multi-Bonding (CMB) eljárást vetették be, ami lehetővé teszi, hogy két darab 3D V-NAND memóriachipet, amelyek egyenként 450 aktív cellaréteggel bírnak, egymásra rétegezve létrehozzák a 900 aktív cellarétegből álló fejlesztést.
Az egyes szilíciumlapkákat beépített fém érintkezők révén tudják egymáshoz „ragasztani”: lényegében ezeken keresztül hoznak létre végleges kötést a két lapka között, a technikai megvalósítás azonban messze nem ilyen egyszerű. Mivel a szilíciumlapkák hajlamosak a vetemedésre, ki kellett fejleszteni egy módszert ahhoz, hogy az összeköttetés mindenképpen tökéletes pontossággal, hibátlanul valósuljon meg. Ennek érdekében mikroszkopikus kis rögzítőket fejlesztettek ki, amelyek pozícióban tartják a lapkákat addig, míg a szükséges összekötés létre nem jön köztük – ezzel a módszerrel az illesztési hibákat is ki tudják küszöbölni.
A Samsung által bevetett apró kis „tokmányok” pontos típusáról nem esett szó – Coulumbic E-Chuck vagy Johnsen-Rahbek E-Chuck technológia lapulhat a háttérben, amennyiben elektrosztatikus megoldásokról van szó. A gyártó mérnökei ezzel egy időben a NAND belsejében is változtatásokat eszközöl, például új bit- és wordline architektúrát hoztak létre annak érdekében, hogy a chipek mérete elfogadható szinten maradjon, valamint a fogyasztásukat is kordában lehessen tartani.
Arról még nem esett szó, hogy a 900 aktív cellarétegből álló 3D V-NAND Flash memóriachipek sorozatgyártása pontosan mikor indulhat meg, de remélhetőleg rövidesen hivatalosan is elárulnak ezt-azt az új mérföldkővel kapcsolatban. Közben a vállalatnál éppen a 10. generációs V-NAND Flash memóriachipek sorozatgyártásának beindításán dolgoznak, amelynek köszönhetően 400 aktív cellaréteg fölé ugorhat a kínálat, később pedig a fentebb említett 900 aktív cellaréteggel ellátott fejlesztés is debütálhat.
