A Samsung fejlesztőcsapata egy fontos mérföldkőhöz ért DDR5 fronton, ugyanis elkészítették az iparág első olyan DDR5-ös memóriachipjeit, amelyek immár 12 nm-es osztályú gyártástechnológiát alkalmaznak, ami jótékony hatást gyakorol az energiahatékonyságra, a sebességre, illetve az adatsűrűségre is. Az új memóriachipek 16 Gb-es kapacitással bírnak, azaz lényegében 2 GB-os megoldásoknak tekinthetőek.
Gyártástechnológia terén újítás, hogy a 12 nm-es csíkszélesség esetében több olyan réteget is használnak, ami már nem DUV, hanem EUV levilágítással készül, ezzel együtt pedig egy új high-k anyagot is bevetettek a gyártás során, ami növeli a cellák kapacitanciáját. Az utolsó fontos adalék a siker érdekében az volt, hogy szabadalmaztatott technológiák segítségével javították a kritikus áramkörök karakterisztikáját.
A 16 Gb-es DDR5-ös memóriachipek a fenti változtatások hatására ütőképesebbek és alacsonyabb energiafelhasználás mellett üzemelnek, extraként pedig a termelékenység is javult. Az iparág legnagyobb lapkasűrűségének köszönhetően az egy szilíciumostyára jutó termelékenység 20%-kal nőtt, vagyis ennyivel több DRAM lapkát lehet kinyerni egy-egy 12 hüvelykes ostyából, ami a bekerülési költségekre is kedvezően hat.
A Samsung szerint a 12 nm-es osztályú gyártástechnológiával készített DRAM chipek akár 7,2 Gbps-os adatátviteli sávszélesség elérésére is képesek, azaz két darab 30 GB-os UHD film feldolgozása mindössze egyetlen másodpercet vesz igénybe. További pozitívum a jobb energiahatékonyság, ami a számok nyelvén azt jelenti, hogy az előző generációs DRAM chipekhez képest az újdonságok 23%-kal kevesebbet fogyasztanak.
Az új memóriachipek számos területen juthatnak szerephez a következő évtől kezdve, például az adatközpontok szegmensében, a mesterséges intelligenciával dolgozó konfigurációkban, illetve a következő generációs számítógép konfigurációkban is. A termékek sorozatgyártása a következő esztendő folyamán indul.
