A Samsung komoly mérföldkőhöz ért, ugyanis elkészítette az iparág első beágyazott UFS (eUFS) adattároló lapkáját, ami a 2.1-es szabvány köré épül, kapacitása pedig nem kevesebb, mint 1 TB. A vezérlőt és a NAND Flash lapkákat rejtő tokozás ugyanúgy 11,5 x 13 milliméteres alapterülettel bír, mint a korábbi, 512 GB-os adattároló kapacitással érkező modellé. Most viszont 16 darab 512 Gb-es 3D V-NAND lapkát rejt a chip, plusz egy teljesen új, házon belül kifejlesztett vezérlőt is rejt a chip.

Az új eUFS chip sebessége is figyelemreméltó, hiszen 1000 MB/s-os folyamatos olvasási-, illetve 260 MB/s-os folyamatos írási tempó elérésére képes, míg véletlenszerű olvasási feladatoknál 58 000, véletlenszerű írási feladatoknál pedig 50 000 I/O műveletet tud elvégezni egyetlen másodperc leforgása alatt.

A gyártó szerint a véletlenszerű írási teljesítmény akár 38%-kal is jobb, mint amit az előző, 512 GB-os modell tudott, míg egy nagysebességű microSD memóriakártyához 500-szoros a sebességelőny. A nagyobb véletlenszerű teljesítményeknek köszönhetően akár 960 FPS sebességgel is készülhetnek képek vagy videók az újdonsággal felszerelt következő generációs eszközökkel, ami nem hangzik rosszul.

Az új eUFS chip elsősorban a csúcskategóriás okostelefonok fedélzetén kaphat helyet a nem is oly távoli jövőben, de ezzel együtt több egyéb olyan területen is jól jöhet, ahol használnak eUFS alapú adattárat – például az AR/VR szemüvegekben, különböző beágyazott rendszerekben, illetve akár az autós fedélzeti rendszerekben is.

A Samsung már készül az új lapka pozitív fogadtatására, így a Dél-Koreában, Pyeongtaek területén található üzemegység gyártókapacitásának bővítését tervezik az év első felében annak érdekében, hogy az 1 TB-os eUFS chip iránti igényeket maradéktalanul kielégíthessék.