A Samsung félvezetőipari bérgyártó üzletága egy nagyon komoly mérföldkőhöz ért a minap: elkezdték a 3GAE gyártástechnológia kezdeti alkalmazását, ami segít a teljesítmény növelésében, a fogyasztás csökkentésében, valamint a tranzisztor-sűrűség növelésében is.

A 3 nm-es osztályú gyártástechnológiánál a világon elsőként alkalmazzák a GAA, azaz a Gate-All-Around technológiát, amelynél négy oldalon veszi körül a kapuelektróda (gate) a nanolapkákat, míg a FinFET esetében három oldalon vette körül az úgynevezett uszonyt (FIN), amiről a nevét kapta a technológia. Az új tranzisztortípus esetében a nanolapkák szélességének változtatásával módosítható a teljesítmény és a fogyasztás: minél szélesebb a nanolapka, annál nagyobb a teljesítmény és a fogyasztás, így az aktuális igények szerint optimalizálható a dizájn.

A FinFET, a GAAFET és a planáris tranzisztorok közötti különbségeket az alábbi ábra szemlélteti. A GAAFET technológia előnyei közé sorolható az alacsonyabb szivárgási áram, valamint az is komoly előny, hogy a csatornák szélessége módosítható, ahogy korábban említettük.

A GAAFET – vagy ahogy a Samsung hívja, az MBCFET (Multi Bridge Channel FET) – tranzisztor-technológia köré épülő 3GAE gyártástechnológia a Samsung 5 nm-es csíkszélességéhez képest 45%-kal alacsonyabb fogyasztást érhet el azonos komplexitás és órajel mellett, de azonos komplexitás és fogyasztás esetén 23%-os teljesítménynövekedés érhető el a magasabb órajel hatására. Az 5 nm-es gyártástechnológiához képest a 3GAE esetében a lapkaméret 16%-kal csökkenthető a nagyobb tranzisztorsűrűség jóvoltából, ami szintén előny.

A második generációs 3 nm-es csíkszélesség, amely a 3GAP jelölést viseli majd, még komolyabb előrelépéseket hoz, ugyanis az 5 nm-es gyártástechnológiához képest 50%-os fogyasztáscsökkenést, 35%-os teljesítménynövekedést, valamint 35%-os lapkaméret-csökkenést ígér. A 3GAP gyártástechnológia várhatóan a 3GAE után egy esztendővel debütál, és ez már szélesebb megrendelői rétegek számára is érdekes lehet.

Az új gyártástechnológiák kiemelten fontosak a Samsung számára, ugyanis a nagy rivális TSMC eléggé elhúzott fejlesztés terén az 5 nm-es és a 4 nm-es csíkszélességek esetében. A 3GAE és a 3GAP ideiglenes előnyt biztosíthat a vállalatnak a TSMC-vel szemben, ráadásul a TSMC 3 nm-es gyártástechnológiái még FinFET tranzisztor-típust használnak majd. Amennyiben a Samsungnál jól alakul a kihozatali arány és nem lesznek komolyabb technikai problémák a 3 nm-es gyártástechnológiák esetében, visszacsábíthat magához néhány nagy és fontos megrendelőt