A Samsung Foundry üzletága a jelek szerint már 2025 második felében megkezdheti a tömegtermelést a vállalat 2 nm-es gyártástechnológiájával, legalábbis erről beszélt a Samsung Foundry üzletág vezetője, Dr. Siyoung Choi a Samsung Foundry Forum 2021 alkalmával. A vállalatnak a jelek szerint igen fontos, hogy lépést tartson riválisaival, méghozzá olyannyira, hogy a jelenlegi tervek alapján nem csak lépést tartani sikerülhet, de akár le is körözhetik az Intelt és a TSMC-t.
A 2 nm-es gyártástechnológia lényegében a harmadik generációs GAA alapú megoldásnak tekinthető, amelynek kifejlesztésénél nagyban alapoznak majd a 3 nm-es csíkszélességgel kapcsolatos munkák során felgyülemlett tapasztalatokra. Arról persze egyelőre nem tett említést a vállalat, nagyjából milyen előrelépéseket hozhat a 2 nm-es gyártástechnológia az előző generációs csíkszélességekhez képest, de az biztosra vehető, hogy lesz fejlődés mind tranzisztorsűrűség, mint fogyasztás, mind pedig teljesítmény terén, ám ezekkel kapcsolatban majd csak később láthatnak napvilágot konkrét részletek.
A Samsung egyébként az első volt a piacon, aki bejelentette, hogy GAAFET alapú tranzisztor-dizájnra vált a 3 nm-es gyártástechnológiák terén, vagyis mind a korai 3GAE, mind pedig a 3GAP esetében. Akkoriban még úgy tűnt, hogy a 3GAE gyártástechnológia akár már 2021 folyamán tömegtermelésbe állhat, ám végül 2022-re tolták a kezdést, méghozzá az év első felére.
Érdekesség, hogy a rivális gyártóknál egyelőre a FinFET tranzisztor-technológia játszhatja a főszerepet. Az Intel még az I7, az I4 és az I3 node-ok esetében is erre alapoz egészen 2024 elejéig, csak akkor kerülhet sor a GAA alapú tranzisztorok bevetésére, amelyeket az Intel RibbonFET néven emleget. A második generációs GAA technológia pedig már 2025 második felére elkészülhet, ugyanis akkor érkezik a 18A gyártástechnológia. A TSMC-nél ezzel egy időben szintén a FinFET-re alapoznak, ugyanis a 2022-ben elérhetővé váló N4 gyártástechnológia, valamint az év második felében érkező N3 gyártástechnológia is erre támaszkodik. Váltásra majd csak az N2 esetében kerülhet sor, onnantól kezdve a nagy tajvani félvezető-gyártó is a GAA tranzisztor-technológiát kezdi alkalmazni.
A Samsung a saját ütemtervével némi lépéselőnybe kerülhet, ugyanis a 2025 második felében induló tömegtermeléssel megelőzheti riválisait, legalábbis az Intelt biztosan. A 2 nm-es gyártástechnológia a harmadik generációs GAA node lesz akkoriban, ami az MBCFET tranzisztorok köré épül, ezekkel kapcsolatban pedig elég sok tapasztalat gyűlhet össze addigra, amelyek segítségével jobb kihozatali arányt, nagyobb tranzisztorsűrűséget, valamint jobb teljesítményt és/vagy jobb energiahatékonyságot lehet elérni. Amennyiben a 2 nm-es gyártástechnológia tényleg tömegtermelésbe áll 2025 második felében, akkor a vele legyártott termékek legkorábban a 2026-os év első negyedévében kerülhetnek forgalomba, különböző eszközök és konfigurációk részeként.
