A Micron egy rendkívül fontos mérföldkőhöz érkezett a memóriapiacon, hiszen olyan DDR5-ös memóriachipeket készített, amelyek nem egy, hanem több DRAM lapkából állnak, az egyes rétegek között pedig Through-Silicon-Via típusú kapcsolat húzódik, ami a 3D NAND Flash memóriachipek és a különböző SoC egységek világából már ismerős lehet. Ezzel a módszerrel az amerikai gyártó sikeresen növelni tudja az egy DDR5-ös memóriachipre jutó kapacitás mértékét, hála a magasabb adatsűrűségnek, ami a több réteg alkalmazásából fakad.
A speciális memóriachipeket használó memóriamodulok természetesen első körben a szerverek szegmensében kapnak helyet, mert egyszerűen ott mutatkozik irántuk kellő kereslet és fizetőképes vevőkör is, valamint ott lehet belőlük a legtöbbet profitálni. Az újdonságok bevetésével immár nem 256 GB, hanem 512 GB lesz az RDIMM típusú DDR5-ös memóriamodulok maximális kapacitása, azaz lényegében meg lehet duplázni az elérhető memóriakapacitást az egyes platformok esetében, már amennyiben a modulok kompatibilitása biztosított. A Micron természetesen mind az Intel, mind pedig az AMD csapatával együttműködik a modulok validálása terén, illetve esetlegesen optimalizációkat is készítenek hozzájuk, ennek eredményeként akár 9200 MT/s sebesség is elérhető lesz.
Az 512 GB-os DDR5 RDIMM memóriamodulok jóvoltából egy olyan szerverben, ami két processzorból áll és összesen 24 darab DDR5-ös memóriafoglalatot kínál a rendszermemória számára, a korábbi 6 TB-os limit helyett immár 12 TB-nyi fedélzeti memória kezelésére is lehetőség nyílik, ami a nagy számítógép-fürtök esetében kifejezetten fontos előny lesz. A nagyobb memóriakapacitásra egyébként is szükség van, hiszen a nagy nyelvi modellek, az AI ügynökök, a valós idejű dedukció, illetve a több processzormagra kiterjedő munkafolyamatok egyaránt nagymennyiségű memóriát igényelnek, ráadásul az sem mindegy, mekkora memória-sávszélesség áll rendelkezésre, illetve a minél energiahatékonyabb működés is egyre fontosabb szempont.
A Micron 512 GB-os DDR5 RDIMM memóriamoduljainak köszönhetően a 256 GB-os megoldásokhoz képest – munkafolyamattól függően – akár 1,4-szeres teljesítménynövekedés elérésére is van mód, miközben az energiahatékonyság is magas szinten helyezkedik el. A Micron szerint a négy darab 128 GB-os memóriamodulból álló memória-alrendszerhez képest egy 512 GB-os DDR5 RDIMM modullal akár 60%-kal csökkenthető a fogyasztás.
A tervek szerint az 512 GB-os DDR5 RDIMM memóriamodulok sorozatgyártása valamikor a következő esztendő második felében indulhat meg, igazodva a vásárlói igényekhez.
