A Micron rendkívül fontos mérföldkőhöz ért DRAM gyártás terén, ugyanis végre bevezette az EUV litográfiát, ami a vállalat legmodernebb gyártástechnológiájánál, az 1-gamma névre keresztelt verziónál jut szerephez. Ez lényegében még mindig egy 10 nanométeres osztályú csíkszélességnek tekinthető, viszont több területen is komoly előrelépést hoz a korábbi, 1β névre keresztelt verzióhoz képest, amit eddig széles körben használtak saját DRAM chipjeik gyártásánál.
Az 1-gamma, vagyis az 1γ gyártástechnológia a gyártó állítása szerint jókora előrelépést hoz az előző gyártástechnológiához képest, igaz, azt sajnos nem árulták el, pontosan hány EUV réteget használ a friss dizájn. Valószínűleg a kritikus fontosságú rétegeknél vethetik be az EUV litográfiát, ahol eddig Multi-Patterning eljárást kellett alkalmazni, ami egyébként bonyolultabbá és hosszadalmasabbá tette a gyártást, valamint a kihozatali arányt is befolyásolta.
A DUV alapú Multi-Patterning technológia persze továbbra is használatban marad, de már az EUV litográfiával együtt, plusz újfajta High-K Metal Gate technológiát is bevetnek, amihez új BEOL (Bakc-end-of-line) áramkör is társul. Az újítások hatására jelentősen növekszik az új chipek energiahatékonysága, illetve a bitsűrűségük is, miközben magasabb sebességet is kínálhatnak.
Az első újdonság, ami már képes kiaknázni az 1γ gyártástechnológiában rejlő lehetőségeket, egy 16 Gb-es kapacitású, DDR5-9200 MT/s sebesség elérésére képes DDR5-ös DRAM chip lesz, amelynek első mintapéldányait már szállítja is a gyártó a partnerek számára. A 16 Gb-es, azaz 2 GB-os kapacitású chip a szabványnak megfelelően 1,1 V-os üzemi feszültséggel működik, ám az 1β gyártástechnológiára támaszkodó elődjéhez képest 20%-kal kevesebbet fogyaszt és 30%-kal magasabb bitsűrűséggel büszkélkedik.
Amennyiben az új termék esetében sikerül hasonló kihozatali arányt elérni, mint az 1β alapú 16 Gb-es DRAM chipeknél, akkor a nagyobb bitsűrűség jóvoltából növelhető lesz a produktivitás, ami a gyártási költségek csökkenését eredményezheti – kisebb lapkákból több elfér egy ugyanakkora szilícium-ostyán.
A 16 Gb-es DDR5-ös DRAM chipet a gyártó ugyan 9200 MT/s sebességgel reklámozza, ezzel együtt a termék a JEDEC által eddig bevezetett összes sebességosztállyal kompatibilis, de van benne egy kis tartalék annak érdekében, hogy az érkező szabványoknak is megfelelhessen, már ami a tempót illeti. A Micron szerint ez a CUDIMM vagy a CXL alapú memóriák esetében is jól jöhet, amelyek jellemzően magasabb sebességet használhatnak, mint a JEDEC szabványban foglalt értékek. Az új memóriachip akár a 10 000 MT/s sebességosztály feletti tuning-memóriákon is helyet kaphat majd, ahogy javul a kihozatali arány és növekszik az elérhető stabil órajel értéke.
A gyártó az 1-gamma gyártástechnológiát idővel a GDDR7-es és az LPDDR5X típusú memóriachipeknél is beveti majd, valamint az adatközpontokban használatos termékek is ezzel készülhetnek a jövőben. A jelenlegi tervek szerint az új memóriachipek tesztelése és hitelesítése 1-2 negyedéven belül megtörténhet, ami azt jelenti, hogy már akár az év közepén találkozhatunk az 1-gamma gyártástechnológia köré épülő DRAM chipekkel a kereskedelmi forgalomba szánt termékek fedélzetén.
