Az SK Hynix szakemberei egy rendkívül fontos fejlesztést jelentettek be a minap, ami a HBM3 memóriaszabványhoz kapcsolódik. A HBM3 kiterjesztésének tekinthető HBM3E a HBM4 érkezéséig gondoskodhat arról, hogy a különböző piaci szegmensekben az egyes gyorsítók fedélzetére a korábbinál is gyorsabb HBM memória kerülhessen, így az adott hardver teljesítménye még magasabb lehet, mintha előző generációs HBM memória-technológiát használnának hozzá. A friss fejlesztésből elsősorban az AI és a HPC szegmens profitálhat majd, hiszen ezeken a területeken kifejezetten fontos a gyors és nagy kapacitású memória-alrendszer, illetve ezek azok a szegmensek, ahol a HBM magas árát és drága alkalmazási költségeit ellensúlyozzák valamelyest az általa kínált előnyök.
A HBM3E szabvány keretén belül olyan új memóriachip-szendvicsek készülhetnek, amelyek az előzőm generációs, HBM3 alapokon nyugvó megoldásokhoz képest 25%-kal gyorsabbak, vagyis ennyivel növekedhet az adatátviteli sávszélesség, ami nem egy elhanyagolható előny. A HBM3E chipek esetében a jelenleg 6,4 GT/s szintről egészen a 8,0 GT/s szintig emelkedhet az adatátviteli sávszélesség, ami azt jelent, hogy az egyetlen chipszendvicsre jutó memória-sávszélesség 819,2 GB/s-ról egészen 1 TB/s-ig növekszik.
Azt sajnos nem árulták el a vállalat illetékesei, hogy kompatibilitás terén mire kell felkészülniük az érintetteknek, azaz nem világos, hogy a jelenlegi HBM3 vezérlők és interfészek használhatóak lesznek-e a HBM3E lapkaszendvicsek mellett, vagy módosítani kell-e őket bármekkora mértékben. Erre alighanem majd csak később kapunk választ, ugyanis a HBM3E lapkák első mintapéldányai is majd csak később, valamikor az év második felében készülhetnek el, a sorozatgyártás beindítására pedig még ennél is többet kell várni, ugyanis az új lapkák majd csak 2024-ben állhatnak tömegtermelésbe.
Az újdonságokhoz a gyártó a legfrissebb 10 nm-es osztályú csíkszélességét, az 1b verziót használhatja, ami lényegében az ötödik generációs 10 nm-es osztályú gyártástechnológiának tekinthető a vállalat berkein belül. Az 1b gyártástechnológia egyébként már jelenleg is használatban van, ezzel készülnek azok a DDR5-6400 MHz-es memóriachipek, amelyek az Intel következő generációs Xeon Scalable platformjával is tökéletesen kompatibilisek. Idővel a szóban forgó csíkszélességet az LPDDR5T memóriachipek gyártásánál is bevethetik. Utóbbi chipek kifejezetten azokat a területeket veszik célba, ahol nagy teljesítményre van szükség, ugyanakkor az alacsony fogyasztás és az energiahatékony működés is kiemelten fontos szempont.
Az SK Hynix DRAM fejlesztő részlegének vezetője, Jonghwan Kim úgy látja, az év második felében a DRAM piac elkezd helyreállni, éppen ezért az 1b nm-es gyártástechnológiával zajló tömegtermelésnek fontos szerepe lesz abban, hogy az év második felében növelje bevételeit a gyártó. Az SK Hynix a TrendForce adatai szerint jelenleg a legnagyobb HBM gyártónak számít, a HBM3E lapkák érkezésével pedig tovább erősödhet a pozíciója.
