Az SK hynix egy új technológiát fejlesztett ki, ami elsősorban a mobileszközök AI képességeinek fejlesztésében játszhat majd kulcsfontosságú szerepet. Az újítás a HBS, azaz a High Bandwidth Storage nevet viseli, előnye pedig abban rejlik, hogy egy tokozáson belül foglalnak helyet a rendszermemóriaként funkcionáló DRAM lapkák és az adatok tárolását biztosító NAND Flash lapkák, ezáltal javulhat az adatfeldolgozás sebessége, valamint a lapkák közötti kommunikáció is gyorsabban, alacsonyabb késleltetés mellett történhet.
A HBS technológia keretén belül az EETimes beszámolója szerint összesen akár 16 darab DRAM és NAND Flash lapka is egy tokozáson belülre integrálható, közöttük pedig a Vertical Wire Fan-Out (VFO) teremt kapcsolatot. A VFO révén az egymásra rétegezett lapkák között hatékonyabb és gyorsabb, kevesebb veszteséggel járó kommunikáció alakítható ki, mint a klasszikus Wire Bonding eljárás során, ugyanis míg utóbbinál az összekötő vezetékek kanyargós utat írnak le a chipek között, addig a VFO esetében egyenes vezetékelést használnak.
A VFO ráadásul nem is igényel olyan vertikális átvezetéseket, azaz TSV-ket (Through-Silicon-Vias), amiket például a HBM memóriachip-szendvicsek használnak, így a lapkákat esetében nincs szükség fúrásra és az apró furatokon keresztüli összekötésükre sem, ami segít a kihozatali arány növelésében. E tulajdonság azért is pozitívum, mert segít abban, hogy a HBS költséghatékonyabb lehessen, mint a HBM, valamint a termelés skálázása is könnyebben és hatékonyabban elvégezhető. Azt persze érdemes tisztázni, hogy míg a HBM az AI gyorsítók szegmensét veszi célba, addig a HBS inkább a különböző mobileszközök fedélzetén jelenhet majd meg, például AR/VR headseteken, táblákon, illetve okostelefonokon is.
Az SK hynix szerint a VFO alkalmazásával egyenes összeköttetés biztosítható a lapkák között, ezáltal 4,6-szor kevesebb vezetéket kell használni, valamint a fogyasztás is csökkenthető mintegy 5%-kal, miközben a hőleadás növelhető nagyjából 1,4%-kal. A speciális tokozás jóvoltából a kész chip a gyártó szerint 27%-kal alacsonyabb lehet, ami a mobileszközök esetében segíthet a vékonyabb felépítés kialakításában. A HBS jóvoltából a mobileszközök AI képességei fokozhatóak, ezáltal még nagyobb nyelvi modellek és még komplexebb AI feladatok futhatnak az adott eszközön, felhő alapú szolgáltatás igénybevétele nélkül, ami természetesen üdvözlendő előrelépés.
Az SK hynix a VFO technológiát egyébként még 2023-ban mutatta be, és már használja is kereskedelmi forgalomban, ezt az eljárást alkalmazzák például Apple Vision Pro fedélzetén található DRAM tokozás esetében is. Arról egyelőre nincs hír, hogy a HBS pontosan mely termékek fedélzetén kaphat helyet a közeljövőben, de remélhetőleg erre is rövidesen fény derülhet.
