Az SK Hynix szakemberei még tavaly augusztusban jelentették be, hogy „4D” NAND Flash technológiában gondolkodnak, amelynek lényege, hogy a NAND Flash cellákat kiszolgáló áramkörök nem a cellák mellé, hanem azok alá kerülnek, ami több szempontból is előnyös. Az SK hynix megoldásai az Intel és a Micron termékeivel ellentétben nem lebegőkapus, hanem töltéscsapdás technológiára támaszkodnak, a „4D” fejlesztésnek köszönhetően pedig csökken a lapkaméret, így egy szilíciumostyára több lapka fér, ami jobb termelékenységet és költséghatékonyabb gyártást eredményez.

Az első „4D” TLC NAND Flash lapkák 96 cellaréteggel rendelkeznek és a fentebb említett megoldást alkalmazzák. Egy-egy ilyen lapka 30%-kal kisebb, mint 72 rétegű 512 Gb-es társai (és ez is 512 GB-es).

Teljesítmény terén szintén vonzó az új lapka, hiszen a 72 rétegű 3D TLC NAND Flash lapkákhoz képest 30%-kal nagyobb írási és 25%-kal nagyobb olvasási teljesítményt tud elérni, ám hogy ez a számok nyelvén pontosan mit jelent, azt nem részletezte a gyártó, mint ahogy azt sem, hogy ezek a növekmények a szekvenciális vagy a véletlenszerű feladatokra vonatkoznak-e. Az viszont biztos, hogy a Multiple Gate Insulators architektúra jóvoltából 1,2 voltos üzemi feszültség mellett akár 1200 Mbps-os adatátviteli sávszélesség elérésére is képes egy-egy ilyen 96 rétegű lapka.

A 96 rétegű újdonságok első körben egy 1 TB-os, saját fejlesztésű vezérlővel ellátott SSD-n kapnak helyet még ebben az évben. 2019 első felében a mobileszközökbe szánt UFS 3.0-s megoldások is megjelennek, az új lapkák köré épülő üzleti SSD-k pedig az év második felében mutatkozhatnak be.

Az SK Hynix később 96 cellaréteggel rendelkező 1 Tb-es lapkákat is bemutat, valamint olyanokkal is készül, amelyek nem TLC, hanem QLC alapokon nyugszanak majd, ám ezek csak valamikor jövőre válnak elérhetővé.